分立器件 - 科技区角

一则公告的突然发布，直接将闻泰科技置身于舆论的漩涡之中。10月12日，闻泰科技宣布，其控股子公司安世半导体因荷兰政府的指令，自9月30日起，资产、知识产权等调整被冻结，期限为一年。同时，安世半导体的部分外籍高管要求转让股权，并暂停了闻泰科技委派的CEO职务。荷兰企业法院已实施紧急措施，包括暂停CEO张学政的职务...

半导体产业纵横 2025-10-13 18:14:13

2025年中国功率分立器件‌行业发展现状及趋势分析：技术升级与国产替代并进，中国功率分立器件行业迈向650亿新纪元[图]

功率分立器件‌行业相关概述功率分立器件是指用于电能转换与控制的独立半导体元件，具有处理高电压、大电流的能力，通常不集成在芯片内而以单个封装形式存在。其核心功能包括整流、开关、放大及电压调节，广泛应用于电源管理、电机驱动、新能源系统等领域。从产品分类看，主要分为二极管、晶体管、晶闸管类和宽禁带器件。按...

智研咨询 2025-09-10 09:00:00

新品 | CoolSiC™ MOSFET 1200V分立器件TO247-4引脚IMZA封装

新品CoolSiC™ MOSFET 1200V分立器件TO247-4引脚IMZA封装第二代CoolSiC™ MOSFET G2 1200V/53mΩ，TO247-4引脚IMZA封装，确保安装兼容性并可轻松替换现有系统设计，为更经济高效、紧凑、易设计且可靠的系统提供领先的解决方案。该器件在硬开关操作和软开关拓扑中均能表现出更优异的性能，适用于所有常见的AC-DC、DC-DC和DC-AC...

英飞凌工业半导体 2025-09-08 17:00:00

PCIM2025论文摘要 | 1200V CoolSiC™ MOSFET G2分立器件的开关行为调查

完整版内容请关注2025PCIM Asia英飞凌将为您带来更多分享*本论文摘要由PCIM官方授权发布摘要英飞凌CoolSiC™ MOSFET G2通过单元间距缩小和结构优化实现了更高的性能。本研究通过在不同负载电流和栅极电阻条件下进行双脉冲测试，对其动态特性进行了分析。结果表明，在保持低导通损耗的同时，开关损耗比G1降低了40%。本文针对...

英飞凌工业半导体 2025-08-20 17:00:00

新品 | 第二代CoolSiC™ MOSFET 1200V Q-DPAK封装分立器件产品扩展

新品第二代CoolSiC™ MOSFET 1200V Q-DPAK封装分立器件产品扩展CoolSiC™ 1200V MOSFET（顶部散热Q-DPAK单管封装）专为工业应用设计，适用于电动汽车充电、光伏、不间断电源（UPS）、固态断路器（SSCB）、工业驱动、人工智能（AI）及网联自动驾驶汽车（CAV）等领域。Q-DPAK封装通过简化组装流程并保持卓越的散热性能，帮助客...

英飞凌工业半导体 2025-08-11 17:00:00

安徽省池州市-特色分立器件产线建设项目可行性研究报告

1、项目概况本项目计划在安徽省池州市经济技术开发区新购置厂房 13,000.00 平方米，新增先进的生产、测试设备 2,642 台/套。项目实施后，将提高安徽钜芯半导体科技股份有限公司消费电子及汽车电子类产品的生产规模和产品质量，增加企业效益；同时也有助于提升公司产品的市场占有率和市场竞争力。本项目达产后将形成年产4 亿...

思瀚产业研究院 2025-07-25 14:00:00

银河微电拟3.1亿投建集成电路分立器件基地

7月12日，银河微电发布公告称，常州银河世纪微电子股份有限公司为提高公司集成电路分立器件产品的生产加工制造能力，扩大集成电路分立器件产品的生产规模，拟以自有资金人民币3.1亿元投资实施“高端集成电路分立器件产业化基地一期厂房建设项目”。项目情况项目名称：高端集成电路分立器件产业化基地一期厂房建设项目项目金额...

艾邦半导体网 2025-07-14 18:31:39