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封装

  • 技术干货 | 借助高集成度 TOLL 封装 GaN 器件推动电源设计创新
    当今的电源设计要求高效率和高功率密度。因此，设计人员将氮化镓 (GaN) 器件用于各种电源转换拓扑。GaN 可实现高频开关，这样可减小无源器件的尺寸，从而增加密度。与硅和碳化硅 (SiC) 之类的技术相比，GaN 还可降低开关、栅极驱动和反向恢复损耗，从而提高电源设计效率。您可以使用 650V GaN FET 进行 AC/DC 至 DC/DC 转换...
    电子工程世界 2025-06-25 08:00:00
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