7月25日,韩美半导体正式宣布将投入1000亿韩元(约合人民币5.2亿元)用于混合键合技术的研发与生产。该笔投资将主要用于在仁川西区朱安国家工业园区建设一座总建筑面积为14,570平方米的混合键合工厂,预计2026年下半年竣工。


工厂建成后,韩美半导体的生产线总面积将达到89,530平方米。该工厂将专注于生产下一代先进设备,包括高规格高带宽存储器(HBM)热压设备(TC键合机)、无助焊剂键合机、用于人工智能(AI)2.5维(2.5D)封装的大芯片TC键合机,以及用于HBM/逻辑半导体XPU的混合键合机。


为加速技术突破,韩美半导体于2025年7月23日与韩国半导体前端设备公司TES签署技术合作协议。TES在等离子、薄膜沉积和清洁技术方面具备优势,双方将通过技术互补开发更具竞争力的混合键合解决方案。


韩美半导体计划在2027年底前推出自主研发的混合键合机设备。公司表示,混合键合技术对于提升下一代高密度HBM的性能至关重要,能够实现芯片间更紧密的连接、更低的电阻与更高的集成度。


韩美半导体成立于1980年,长期专注于半导体后道工艺(封装)设备的研发与生产。公司核心产品涵盖热压键合、晶圆级封装设备、引线键合机等,在垂直堆叠和精密连接技术领域具有显著优势。


近年来,韩美半导体在HBM键合设备市场保持领先地位。2024年,公司营业利润达2554亿韩元,较上年增长639%,主要得益于HBM相关设备需求的增长。2025年5月,公司推出HBM4专用设备TC BONDER 4,并于7月正式投入生产。


2025年6月,韩美半导体成立"Silver Phoenix"技术团队,由50多名专家组成,专注于TC BONDER 4设备的定制、维护和优化工作。该设备针对HBM4芯片堆叠工艺设计,在热控制精度、压力均匀性及键合一致性方面均有提升。


混合键合技术正成为半导体先进封装领域的关键发展方向。该技术能实现芯片间直接铜对铜连接,提升信号传输速率,同时降低DRAM层间距,提高集成度。随着AI、高性能计算等领域对数据处理需求的增长,混合键合设备市场预计将快速扩张。


韩美半导体此次投资旨在巩固其在半导体封装设备市场的领先地位。公司计划通过早期布局,为全球存储器半导体公司提供下一代HBM开发所需的关键设备。按照发展路线图,公司还计划在2028年推出用于HBM6的无助焊剂键合机,2029年推出用于HBM7的混合键合机。


全球半导体设备厂商正加速布局混合键合领域。除韩美半导体外,荷兰Besi公司已从两家主要HBM供应商获得混合键合机订单,而应用材料、ASMPT等公司也在积极开发相关技术。韩美半导体希望通过此次投资,在日益激烈的市场竞争中保持技术领先优势。


END


资讯配图



最后提一句,21ic论坛(bbs.21ic.com)正在招募原创作者,单篇文章奖励最高500元,欢迎广大网友踊跃投稿!资讯配图 点击了解活动详情

往期精选:

资讯配图
扫描二维码,关注视频号

请点下【♡】给小编加鸡腿



资讯配图