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随着技术霸权竞争的加剧，2025 年下半年将成为全球半导体行业的关键时期。走在最前沿的三星电子和台积电将在下一代2nm 制程技术的争夺中展开激烈对决。同样关键的是第六代高带宽存储（HBM4）技术的逐步问世，这一技术有望重新定义AI 计算领域的性能标准。
行业分析师援引OBC 和 Newsis 等韩国媒体的报道称，三星在HBM 领域的衰退可能即将结束。曾被认为进入“失落十年”的三星，现在被一些行业人士称为将要苏醒的“沉睡的巨人”，有望重新夺回在AI 半导体领域领先地位。
三星的双重战略
作为全球唯一一家同时拥有先进存储和晶圆代工能力的公司，三星具备独特的战略优势，能够凭借其HBM4 产品强势回归。行业消息人士指出，这一复苏不仅标志着三星的回升，还预示着 AI 芯片设计进入了一个新阶段，特点是逻辑与存储组件的更紧密集成。
三星在HBM3 领域表现较弱的主要原因是战略失误和投资不足，这使得 SK 海力士在市场中占据了主导地位。然而，一些业内专家认为，这一时期的三星应该被看作是在深思熟虑后进行反思与再投资的过程，而非单纯的失败。
韩国半导体行业的消息人士表示，三星在HBM3 开发过程中遭遇的挑战，实际上为其提供了宝贵的经验教训。消息人士强调，在当前由AI 驱动的市场环境中，存储与逻辑的整合已成为基本要求。意识到这一点后，三星调整了技术战略，加强了高带宽存储团队，并加大了研发投入，成果已经得到初步的显现。
GAA与HBM4引领复兴
三星重新崛起的战略核心集中在两项下一代技术上：全环栅（GAA）晶体管和 HBM4。
三星在2022 年中年中率先在其3nm 工艺技术中引入 GAA 架构，现在计划在即将发布的2nm 芯片中推出更先进的版本。虽然台积电也准备在 2nm 级别采用 GAA 技术，但三星的提前部署可能使其在优化产量和提高生产效率方面具有关键优势。
在存储领域，HBM4 代表了对 HBM3 和 HBM3E 的重大突破。HBM4采用了先进的混合键合技术，并提高了数据I/O 数量、带宽和堆叠层数。三星计划将 HBM4 作为进军日益增长的定制HBM 市场的跳板，这一市场有望创造公平的竞争环境并削弱SK 海力士目前的领先优势。。
一体化解决方案作为最终差异化优势
除了GAA 和 HBM4 技术外，业内人士认为三星的另一个强大武器可能是其一体化的芯片解决方案。与其他厂商不同，三星提供了一个完全集成的服务，涵盖了2nm 逻辑设计、制造、存储集成和封装，所有这些都集中在同一个设施中完成。
这种一体化的方法对于AI 芯片性能尤为重要，因为 AI 计算的表现越来越受到存储带宽的限制。通过实现逻辑与存储组件的协同设计，使得三星能够在系统级别进行优化调整，为客户提供强有力的价值保证，同时也提高了行业竞争对手的进入壁垒。
领导层清晰性增强
三星的复苏正值执行主席李在镕近期在一场长期法律案件中获得全盘胜诉，这为其领导地位扫清了障碍。市场普遍认为，李在镕将专注于扭转三星半导体业务的颓势，这也被视为他的首要任务。
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三星电子执行会长李在镕。图片来源：法新社
行业分析师表示，三星从其在HBM 领域的挑战中吸取了重要的教训，认识到仅凭技术优势是不够的，还需要强大的市场定位。尽管 SK 海力士在 HBM 领域继续占据领先地位，但报告指出，三星第六代 1c DRAM 已实现超过 50% 的良品率，这为三星的复苏工作发出了积极信号。
尽管李在镕可能无法在2030 年实现让三星成为全球系统半导体领导者的雄心，但如今几乎没有人认为三星会拆分其代工业务。相反，三星似乎决心加大整合力度，进一步强化差异化竞争。
逻辑-存储融合定义下一阶段
预计在2025 年下半年推出的 2nm 制程技术将标志着 AI 时代领导力竞争的开始。未来的关键挑战将是逻辑和存储组件的无缝集成，而三星声称在这一领域已建立了战略优势。
凭借下一代GAA 晶体管、HBM4 存储技术和垂直一体化的服务模式，三星正为向目前由台积电和 SK 海力士主导的 AI 芯片市场发起挑战做好准备。沉睡的巨人可能已经准备好迎接复兴。
*原文作者：by Amy Fan, Taipei; Sherri Wang, DIGITIMES Asia
*原文链接：
Samsung bets on GAA and HBM4 to retake AI crown
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