SK海力士正准备在清州M15工厂增设一条后处理生产线，以满足日益增长的高带宽存储器（HBM）需求。此次扩建将在最大限度地保持晶圆厂内NAND产能（CAPA）的同时进行。该计划旨在通过调整生产线并最小化设备之间的间隙，从而最大限度地提高空间利用率。

预计此次扩建将在今年年底清州M15X工厂竣工前完成。为此，SK海力士已确认已向一些半导体设备公司下达了后处理设备的采购订单（PO）。

据业内人士7月21日透露，SK海力士正在M15工厂增设一条HBM后处理生产线。这是SK海力士第二次在M15工厂增设HBM后处理生产线。此前，该公司已在M15工厂增设了一条用于HBM的硅通孔（TSV）生产线。

由于目前晶圆厂可用空间非常有限，SK海力士正在调整其NAND晶圆厂M15产线，以建立一条HBM后处理产线。除了计划于今年竣工的M15X和M8之外，SK海力士要到2028年之后才能利用新晶圆厂（龙仁晶圆厂和印第安纳晶圆厂）。因此，目前SK海力士只能重新规划现有晶圆厂的空间，以提高HBM的产能。

SK海力士调整M15产线也受到了NAND市场低迷的影响。该决定似乎是基于这样的判断：与其调整利润丰厚的DRAM产线，不如调整NAND产线，因为为了获得更多空间，部分产线需要停产并搬迁。

一位半导体材料业内人士解释说：“M15 NAND工厂的开工率仍然很低”，并且“SK海力士继续在M15工厂设置HBM后处理生产线也与NAND市场低迷有关。” SK海力士计划通过此次CAPA扩建来应对M15X DRAM的产能。SK海力士计划通过M15X增加可用作HBM4等核心芯片的10纳米第五代DRAM（1b DRAM）产能。然而，由于可用空间有限，似乎只能满足部分产能。

一位半导体设备业内人士表示：“SK海力士为了确保HBM产线，实际上是在挤压空间”，并且“就连SK海力士自己也对M15工厂获得额外空间感到惊讶。” 他补充道：“据我了解，最近一些设备公司已经收到了相关设备的订单。”

在被问及是否会对M15工厂的HBM后工序生产线进行追加投资时，SK海力士表示：“目前尚未做出任何决定。”

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