根据Tom’s Hardware引用市场消息指出，长江存储不仅预计 2024 年底将月产能提升至 13 万片，更计划至 2026 年底挑战全球 NAND Flash 产量的 15%。此外，长江存储正推动一条全国产设备试验生产线，成规避美国制裁的方式之一。

根据报导，长江存储在2024 年底前将实现月产能约 13 万片，预计在 2025 年增产至 15 万片，对应全球 NAND Flash 供应约 8%。这一成长主要得益于其第五代 3D TLC NAND（X4-9070）正式投产，该产品采用 294 层堆栈架构，位元密度显著提升，界面速度达 3600 MT/s。而即便长江存储从 ASML、Applied Materials、KLA 等国际设备供应商取得新设备的能力受限，但其仍计划大规模导入自研技术与国产设备，支撑其位元成长率目标远高于整体市场的 10%~15%。

为摆脱对外国设备依赖，长江存储已着手建设一条仅采用中国晶圆厂工具的试验线，预计于2025 年下半年开始试产。这是因应美国管制 128 层堆栈以上堆栈技术设备出口后的对策，亦是中国芯片设备自主化的重要试金石。根据市场分析师的分析指出，一旦该试验线获得成功，将有助于长江存储扩大规模量产的可能性，并朝向 100% 设备国产化迈进。市场评估，若长江存储能将月产量提升至 20 万片，将具备影响全球 NAND Flash 价格走势的话语权。

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