因涉嫌向竞争对手泄露核心半导体技术而被起诉的三星电子前高管金某在上诉审判中获得部分减刑。其配合调查的情况得到了考虑。

7月23日，首尔高等法院刑事第八部（主审法官：金成洙）判处因违反《产业技术泄漏预防保护法》而受审的三星电子前高管金某六年有期徒刑，并处以2亿韩元罚款。该刑期比一审的七年有期徒刑减少了一年。

同案被起诉的A公司前员工方某和金某分别被判处两年六个月有期徒刑和一年六个月有期徒刑，与一审相同。

其余共犯的缓刑与一审相同。

金某在庭审中声称自己没有指使或共谋使用相关技术，但上诉法院并未采纳这一说法。不过，上诉法院在判决理由中阐明了这一立场：“考虑到金某未参与泄露三星电子核心业务，且积极配合检察机关调查，故判处较原审轻的刑罚。”

法院指出，“被告所犯的罪行最终会损害国家竞争力，应严惩，以防止类似犯罪再次发生”。法院还表示，“尽管被告已承认起诉书的全部事实，并在上诉中进行了反思，但仅凭这些情况很难改变原判。”

金某被指控泄露三星电子18纳米DRAM半导体工艺（一项关键的国家技术）的机密信息，并将其用于国外公司的产品开发。

经调查，方某于2016年转任新成立的国外公司时，泄露了与半导体“沉积（一种在半导体制造过程中对薄晶圆进行涂层的技术）”相关的七项关键工艺技术数据，并收受了数千亿韩元的贿赂。此外，他还被曝出以高薪为诱饵，从三星电子及其关联公司挖走了大批技术人员。

方某还因涉嫌与金某合谋，将半导体设备供应商A公司的设计技术数据泄露给国外公司而受审。

今年2月，一审法院判处了方某等人重刑，理由是“这严重阻碍了良性竞争，并给创造数据的受害公司造成了巨大的时间和金钱浪费，尤其对三星电子的损失预计将是巨大的。”

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