韩美半导体7月23日宣布，与半导体设备公司TES在韩美半导体仁川总部签署了开发“混合键合器”设备的协议。

两家公司的协议由韩美半导体主办，TES作为合作伙伴参与。与现有的凸块方法不同，混合键合是一种下一代封装技术，通过直接铜对铜（Cu-Cu）连接最大限度地提高输入/输出（I/O）性能，提高带宽，并支持20层以上的高堆叠。

这项技术需要一种在半导体晶圆阶段直接键合不同芯片的预处理技术。韩美半导体计划将TES的等离子体、薄膜沉积和清洁技术与高带宽存储器（HBM）的键合器技术相结合。

全球HBM厂商有望引入混合键合技术，用于生产下一代高栈HBM，有望带动相关设备市场的增长。

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