三星电子和美光正加速进军高带宽存储器 (HBM) 市场。随着两家公司全面进军 HBM 市场，SK 海力士的“垄断”格局是否会发生变化备受关注。凭借 HBM3E 12 层存储器占据市场主导地位的 SK 海力士在第二季度创下了历史新高，而美光正在缩小与SK海力士的差距，三星电子也凭借 HBM4 存储器展开反击，形成了“三足鼎立”的格局。

三星电子计划在本季度内向全球主要客户交付 HBM4 存储器的量产样品。本月初，三星电子宣布已稳定向 AMD 供应 HBM3E 12 层存储器，其战略是通过下一代产品立即恢复技术信任。

事实上，三星电子的存储器部门最近已获得采用10nm1c工艺的 DRAM 的内部量产批准 (PRA)。 PRA 是满足量产过渡技术要求后授予的程序，三星电子计划在此基础上力争实现 HBM4 的转型。三星电子还在扩大与 AMD 和博通等全球大型科技公司的 HBM 合作范围。

三星电子内外都期待 HBM4 的良率即将接近量产水平。三星在上半年专注于确保产品完美度，预计下半年将全面过渡到量产系统。

美光凭借其不断增长的市场份额，正在迅速提升其在 HBM 市场的“威胁性”地位。甚至有人认为，美光在发热量、能效和模块化技术等实际使用性能方面领先于 SK 海力士。

该公司在第二季度财报中宣布，HBM 销售额较上一季度增长了 50% 以上。据悉，美光已扩大 HBM3E 的供应，并已向主要的人工智能 (AI) 客户提供了 HBM4 样品。

美光尤其注重扩大产能。除了位于台湾台中的工厂外，美光还计划将去年收购的显示器公司友达光电的两家工厂改造成专门生产HBM的DRAM生产基地，并于今年投入运营。美光正投资10万亿韩元在新加坡新建HBM工厂。此外，其位于爱达荷州、纽约州和日本广岛的工厂也提前投产。

美光也在追求技术差异化。美光专注于名为“SOCAMM”的新型封装型高性能模块，以增强竞争力。该产品将LPDDR5X DRAM以多层结构堆叠，与中央处理器（CPU）一起用于提升AI半导体的性能。SOCAMM在能效和空间利用率方面具有优势，正逐渐成为下一代AI加速器的主存储器。美光最近被选为NVIDIA的首家SOCAMM供应商。

随着三星电子和美光在HBM市场影响力的不断扩大，有分析认为，以SK海力士为中心的市场格局正逐渐出现裂痕。近日，高盛将其投资评级下调至“中性”，并表示SK海力士的HBM价格明年可能首次出现下跌。这被解读为市场竞争加剧、供需平衡正在发生重大变化的信号。

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