近日，日本NAND Flash大厂铠侠（Kioxia）宣布，将在今年内量产第9代次世代存储器，目前已开始样品出货。

7月25日，铠侠宣布，采用第9代BiCS FLASH™ 3D闪存技术的512Gb TLC产品已在当日开始进行样品出货，预估将在2025财年进行量产，旨在支持中低级存储容量中需要高性能和卓越能效的应用。同时，铠侠还计划将该产品集成到企业级SSD中，特别是需要提升AI系统GPU性能的应用。

铠侠表示，上述产品基于第5代BiCS FLASH™技术的120层堆叠工艺和先进的CMOS技术开发而成，支持Toggle DDR6.0接口，可实现高达 3.6Gb/s的NAND接口传输速率。

与铠侠现有的相同容量（512Gb）的 BiCS FLASH™产品相比，其性能实现了显著提升，其中写入性能提高61%、读取性能提高12%，此外，该产品的功耗也得到明显改善，如写入操作能效提升36%，读取操作能效提升27%。

据日经新闻搞到，上述次世代存储器产品由铠侠四日市工厂生产，预估将应用于智能手机等用途。

报道称，铠侠6月5日公布中长期营运计划，目标在截至2029年度为止的5年内、将产能提高至2024年度的2倍。铠侠将在日本2座主要工厂（四日市工厂、北上工厂）扩增产线、增产AI数据中心用NAND Flash。

其中铠侠北上工厂第2厂房（K2）将在9月投产、生产最先进的第8代NAND Flash BiCS8，而铠侠将提高BiCS8生产比重，目标在2026年3月将其营收规模超越现行产品。