截至2025年，全球半导体产业先进制程技术竞赛已迈入1.4nm时代，但是目前的主战场集中在2纳米及以下工艺节点。主要竞争玩家有下方四位，台积电、三星、英特尔，以及半路杀出的日本Rapidus，各厂商在技术推进、市场布局和战略调整方面均面临新的变数和挑战。

三星电子正积极调整并集中资源冲刺GAA架构的2纳米工艺，公司目标于2025年实现大规模量产。作为第二代GAA（Gate-All-Around）晶体管技术，三星SF2旨在提供更优异的性能与能效，据悉目前该制程良率已达40%。

为此，三星晶圆代工事业部已在华城S3生产线新增2纳米产能（月产7000片），并通过部分3纳米产线升级加速SF2的生产爬坡。据悉，三星SF2初期将优先服务于自家的Exynos 2600处理器等移动芯片，随后扩展至高性能计算（HPC）和汽车电子领域...点击查看详情《先进制程，生变！》

据“陕西新闻联播”报道，陕西电子芯业时代8英寸高性能特色工艺半导体集成电路生产线项目目前已进入冲刺通线的关键节点，计划9月份开始试生产。该项目建成后将填补陕西8英寸芯片制造领域的空白，加快培育和发展新质生产力。

该项目由陕西电子芯业时代科技有限公司（以下简称“芯业时代”）投资建设，主要建成一条8英寸高性能高可靠功率器件、功率集成电路生产线，同时厂房基建预先满足未来12英寸线可扩展性的要求，项目80%的设备可满足第三代半导体芯片生产要求...点击查看详情《总投资45亿元，陕西8英寸半导体项目9月份试生产》

三星电子正引领高带宽存储器（HBM）技术向更高层数和更先进互连方案演进，计划逐步引入混合键合（Hybrid Bonding）技术，以克服当前制造工艺的物理极限。

在7月22日于京畿道城南市举行的韩国半导体产业协会“商用半导体开发技术研讨会”上，三星电子DS部门半导体研究所下一代研究团队常务董事金大宇明确指出：“一旦HBM超过16层，现有的热压键合（TC）将无法实现。”这意味着，要实现20层甚至更高层数的HBM堆叠，必须寻找更先进的互连方案...点击查看详情《存储大厂押注混合键合!》

由北京大学、中国人民大学科研人员组成的研究团队历经四年攻关，首创一种“蒸笼”新方法，首次在国际上成功实现高质量硒化铟材料的晶圆级集成制造，并研制出核心性能超越3纳米硅基芯片的晶体管器件。

“要制备高质量、性能好的硒化铟，很关键的一步就是要在制备过程中保持硒原子和铟原子数量严格达到1:1的比例。”北大物理学院凝聚态物理与材料物理研究所所长刘开辉说。

传统的制备方法，通常利用开放容器加热硒和铟，但因其“蒸发”速率不同，无法确保二者原子数量达到最优比例，致使制备出的晶体质量不高...点击查看详情《事关半导体芯片，中国科学家首创》