日本半导体制造商Rapidus今日宣布在其创新集成制造工厂（IIM-1）已开始2纳米全环绕栅极（GAA）晶体管结构的原型试制，并展示了其首块2纳米GAA晶圆。据财联社报道，Rapidus表示原型晶圆已经启动了电性参数测试。

Rapidus正在开发一款与该公司的创新集成制造工厂2纳米工艺兼容的工艺开发套件，并计划于2026年第一季度向先期客户发布。此外，公司还将为客户提供一个可以自主开发原型的环境。根据公司的规划，预计将于2027年开始进行2纳米芯片的量产。

这一进展显示了Rapidus在推动先进半导体技术发展方面的持续努力。尽管面临激烈的国际竞争和复杂的市场环境，Rapidus仍然坚定地朝着2027年的量产目标前进。这标志着该公司致力于成为全球领先的半导体供应商之一，并为包括人工智能、自动驾驶在内的多个高科技领域提供关键支持。

此次发布的消息进一步巩固了Rapidus在全球半导体产业中的地位，同时也展现了其对于未来技术创新的信心和承诺。随着技术的进步和市场的演变，Rapidus的这项成就将对全球科技产业链产生积极的影响。