英飞凌工业半导体

英飞凌CoolSiC™ MOSFET栅极氧化层可靠性揭秘！本视频详细介绍了碳化硅栅极氧化层如何通过独特设计防止失效，并确保卓越可靠性。采用沟槽栅MOSFET与较厚栅极氧化层，英飞凌成功实现高效缺陷筛选，故障率远低于传统硅技术。想要了解更多？点击观看视频，一探究竟！欢迎点击卡片关注电子电力工程师园地

2025-07-17 17:39:48

今年IPAC碳化硅直播季，英飞凌“攻城狮”强势集结，从器件性能、系统应用价值、设计要点层层递进、抽丝剥茧，帮您快速掌握从器件选择到系统优化的完整知识链条，轻松应对设计中的关键难点，迈向更高效的系统解决方案。IPAC碳化硅直播季第三期即将登陆直播间！直播时间：7月22日14:00直播主题：CoolSiC™ MOSFET并联技术和驱动...

2025-07-16 17:00:00

新品面向电动汽车充电应用的Easy模块产品扩展EasyPACK™ 3B系列2000V/6mΩ、2000V/10mΩ和1200V/11mΩ四单元模块，采用增强型第一代CoolSiC™ MOSFET技术，集成NTC温度传感器并配备PressFIT针脚。产品型号：■ F4-6MR20W3M1H_B11■ F4-10MR20W3M1H_B11■ F4-11MR12W3M1H_B11产品特点业界领先的12mm超薄封装采用先进宽禁带半导体材料...

2025-07-15 17:00:00

由于第四桥臂的引入，对比三相三桥臂变换器，负载相电压的电平数从五个(±2Udc/3, ±1Udc/3, 0)降低到三个(±Udc, 0)，因此自然的，相同电路参数下，输出电流的谐波畸变度将会更大，下图所示为相同开关频率，相同滤波器参数以及输出相同电流有效值情况下，两种拓扑的负载电压电流波形与电流THD对比，三相四桥臂变换器输出电流...

2025-07-14 18:15:07

想了解大赛详情，请点击下方图片作者简介本文是第二届电力电子科普征文大赛的获奖作品，来自上海科技大学的诸葛英健投稿。据《华尔街日报》7月1日报道，亚马逊云服务正与美国最大的核电厂运营商Constellation Energy接近达成一项直接供电协议。而早在今年3月，亚马逊以6.5亿美元收购了位于宾夕法尼亚州的Talen Energy旗下的...

2025-07-12 08:30:00

IGBT的电流是器件基本参数之一，显而易见FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模块。这样的理解对于日常工作交流来说是足够了，但对于一位设计工程师是远远不够的，而且业内充满着误解和流言。流言一：450A IGBT模块最大输出电流能力是450A，系统设计中需要留足够的余量450A是FS450R12KE4的标称电流。那么什么是标称电流？为了搞...

2025-07-11 17:00:00

本期播客我们邀请到了英飞凌技术专家Peter Friedrichs为我们描绘了碳化硅技术的发展蓝图。针对高压应用这一关键议题，Peter分享了关于10kV以上碳化硅芯片的可行性分析，同时强调系统级评估的重要性。在封装技术方面，Peter预测将出现更丰富的产品形态，包括新型模块、嵌入式方案等，以满足不同应用场景的特定需求。虽然碳化...

2025-07-09 17:00:00

新品采用ThinTOLL 8x8封装的CoolSiC™ 650V G2 SiC MOSFET新增26mΩ，33mΩ产品第二代CoolSiC™ MOSFET 650V G2分立器件产品线现扩充ThinTOLL 8x8封装的26mΩ和33mΩ型号，将导通电阻(RDS(on))的覆盖范围扩展至20mΩ到60mΩ，提供更精细的选型梯度。ThinTOLL封装是标准8x8尺寸下发挥CoolSiC™ G2芯片性能的最佳方案。该封装技术突破...

2025-07-08 17:00:00

三相四线制配电具有稳定性高、适用范围广等优点，多应用于工商业、民用等低压配电场景，在传统的APF、UPS等应用里，三相四线变换器已被大量采用，近年来，工商业侧储能正以其经济性、电网友好性等特点蓬勃发展，其中离网应用场景下，不平衡负载的带载能力、谐波畸变度等都是其PCS的重要指标。SiC MOSFET结合三相四桥臂变换...

2025-07-07 18:44:39

想了解大赛详情，请点击下方图片作者简介本文是第二届电力电子科普征文大赛的获奖作品，来自华中科技大学刘自程、王光宇、朱荣培、蒋栋、罗翔宇、包木建、朱梓豪等投稿。3多相电机的应用场景经过前面的介绍，相信大家已经对多相电机的优点有了进一步的认识。然而你可能会疑惑为什么多相电机有这么多优点但实际生活中却很少...

2025-07-05 08:30:00