英飞凌工业半导体

新品 TRENCHSTOP™ IGBT 7 H7  750V分立器件   TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 750V硬开关型分立器件，是650V版本的升级产品，专为满足绿色高效能源应用中对更高电压处理能力的需求而设计。 通过提升额定电压，该器件能承受更高的电压尖峰与过压工况，使其成为对可靠性和效率有严苛要求的应用场景的理想选择。   产品型号： ■ IKZA50N...

2026-02-05 17:00:00

新品 碳化硅SiC 5.5kW三相交错并联 LLC谐振变换器评估板   EVAL_5K5W_3PH_LLC_SiC 5.5kW三相交错并联LLC谐振变换器，能将400V直流输入电压转换为稳定的50V直流输出电压。得益于CoolSiC™器件的卓越性能与顶部散热封装方案，该板实现了接近99% 的效率与170W/in³的超高功率密度。   产品型号： ■ EVAL_5K5W_3PH_LLC_SiC2   框...

2026-01-26 18:39:01

新品第五代氮化镓CoolGaN™ 650V G5双通道晶体管第五代氮化镓CoolGaN™ 650V G5双通道晶体管将半桥功率级集成于小型6×8mm QFN-32封装中，该功率级由两个导通电阻典型值140mΩ、耐压650V的增强型CoolGaN™晶体管组成。该产品凭借CoolGaN™晶体管卓越的开关特性，非常适合用于实现AC-DC充电器与适配器的高功率密度设计，以及低功率...

2026-01-15 17:04:12

新品采用高爬电距离TO-247-4引脚封装的CoolSiC™ 1400V MOSFET G2CoolSiC™ 1400V MOSFET G2器件采用TO-247-4引脚封装，兼具前沿的SiC技术与高爬电距离的坚固封装特性。该器件支持直流母线电压超过1000V的系统设计，既为现有应用提供额外的电压裕量与增强的可靠性，又能实现更高的开关速度，从而提升系统效率。其引脚与现有封...

2026-01-04 17:00:00

QDPAK顶部散热器件是一种表贴器件产品。相对于传统表贴产品只能从底部进行散热的方式，顶部散热器件分离了电气路径和热流路径，尤其适合在高功率密度的应用，如AI服务器电源和车载充电器等应用。而英飞凌不久前推出的QDPAK封装也是目前英飞凌量产的封装中最大尺寸的顶部散热产品。   QDPAK封装目前包含600V，650V，750V，12...

2025-12-18 17:00:00

动态无线充电道路系统可在客车与卡车行驶于道路及高速公路上时为其充电 英飞凌定制碳化硅模块可大幅提高功率密度，使电动汽车搭载更小的电池，实现24小时全天候运行 动态无线充电道路系统解决方案是减少交通运输领域碳排放的一项关键创新   英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）将为领先的电动汽车（EV）...

2025-12-15 17:00:00

上篇我们讨论了ANPC的基本原理，换流路径及调制策略，本文通过PLECS仿真工具来分析在不同的调制方式和工况下ANPC各位置芯片的开关状态和损耗分布情况。     ANPC-PWM1设计实例   由于不同特性和规格的芯片各自静态和动态参数不同，使用相规格的芯片便于分析损耗分布，在这里选用Econodual3半桥模块FF900R12ME7构建ANPC拓扑...

2025-11-12 17:00:00

ANPC（Active Neutral Point Clamped）拓扑即有源中点钳位技术，是基于NPC型三电平拓扑改进而来，最早提出是用来克服NPC三电平拓扑损耗分布不均匀和中点电位问题。从结构上看，ANPC是将NPC1的钳位二极管替换为IGBT与二极管反并联钳位的结构，与NPC1一样可以实现三电平输出以降低谐波，且器件耐压和NPC1相同。通过增加两个IG...

2025-11-05 17:00:00

新品 第五代CoolGaN™ 650-700V 氮化镓功率晶体管G5   第五代650-700V GaN氮化镓功率晶体管可实现高频工况下的效率提升，并满足最高质量标准，能够打造具有超高效率的高可靠性设计。   该系列GaN氮化镓晶体管现新增底部散热型ThinPAK 8x8和DPAK封装版本，专为各种工业与消费类应用中的最优散热性能而设计。   产品型号： ■ I...

2025-11-03 18:16:11

【2025年10月29日, 德国慕尼黑讯】工业领域中的快速直流电动汽车（EV）充电、兆瓦级充电、储能系统，以及不间断电源设备，往往需要在严苛环境条件与波动负载的运行模式下工作。这些应用对高能效、稳定的功率循环能力以及较长的使用寿命有着极高的要求。为满足这些需求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股...

2025-10-29 17:00:00

【2025年10月27日, 德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出的英飞凌功率仿真平台（IPOSIM）被广泛用于计算功率模块、分立器件及盘式器件的损耗与热特性。目前，该平台已集成一款基于 SPICE（电路仿真程序）的模型生成工具，可将外部电路和栅极驱动器选型纳入系统级仿真。该工具通过充分...

2025-10-27 17:00:00

英飞凌推出全新紧凑TSSOP-25封装650V 6EDL04系列栅极驱动器，包含无源器件时PCB面积能减少50%，在显著节省系统成本、空间和重量的同时，同时保持同类最佳的鲁棒性。6EDL04具备行业领先的抗负瞬态能力，可承受高达2kV HBM和1kV CDM的静电放电，加持英飞凌SOI技术，集成3个低电阻自举二极管，允许灵活的调制方案，提高占空比...

2025-10-24 17:00:00

在散热器上安装的IGBT 模块并非密封设计，尽管芯片上方有一层硅胶，但是水汽仍然可以通过外壳间隙以及硅胶进入器件芯片内部。因此，器件在使用和存储过程中，必须避免湿气或者腐蚀性气体。目前大多数IGBT 模块允许工作的温湿度以及气候条件遵循IEC60721-3-3规定,为使客户更加了解IGBT 的使用环境条件，本文主要介绍温度以及...

2025-10-23 17:00:00

新品用于热泵的带变频器的Econo PFC首个集成了维也纳PFC和压缩机变频器的热泵应用一体化模块解决方案。采用最新的IGBT7芯片技术，采用成熟的Econo2 封装。产品型号：■ FP35R12N2T7_B67产品特点TRENCHSTOP™ IGBT7技术集成维也纳PFC和压缩机变频器一体化解决方案，使用方便，设计紧凑成熟的Econo2封装应用价值一体化解决方案...

2025-10-20 17:30:00

【2025年10月17日,德国慕尼黑讯】电动汽车充电、电池储能系统，以及商用、工程和农用车辆（CAV）等大功率应用场景，正推动市场对更高系统级功率密度与效率的需求，以满足日益提升的性能预期。同时，这些需求也带来了新的设计挑战，例如，如何在严苛环境条件下实现可靠运行，在应对瞬态过载时如何保持稳定性，以及如何优化整...

2025-10-17 18:24:47

新品适用于10kW以下三相B6逆变器的评估板设计EVAL_10kW_B6_SiC400V 使用带有隔离栅极驱动器的 B6 逆变器来驱动电机，支持高达 10 kW 的 ACIM 和 PMSM。它采用 B6 配置的 CooISiC™ MOSFET 400V G2，可进行功率级别微调。 该套件包括一块电源板、一块电容器板和一块栅极驱动器板，使设计人员和研究人员能够在工作设置中对其进...

2025-10-15 18:31:26

新品CIPOS™ Maxi 1200V碳化硅SiC IPM IM12SxxEA2系列高性能CIPOS™ Maxi转模封装SiC IPM IM12SxxEA2系列基于1200V CooSiC™ MOSFET技术。产品组合包括60mΩ和90mΩ，提供两种新产品：IM12S60EA2和IM12S90EA2。该系列集成了6个CoolSiC™ MOSFET和一个优化的1200V 6通道SOI栅极驱动器，以提高可靠性，提供出色的保护机制，并优化PC...

2025-10-13 18:00:00

想了解大赛详情，请点击下方图片作者简介本文是第二届电力电子科普征文大赛的获奖作品，来自清华大学的梁露露投稿。绿皮火车轰隆隆一路向西驶去，窗外的景色由绿色逐渐变得荒凉，鳞次栉比的太阳能光伏板形成一片“蓝色的海洋”，在阳光的照耀下熠熠生辉。这是今日中国西部广袤荒野中的一道独特风景，也是中国光伏产业蓬勃发展...

2025-09-27 08:00:00

*本论文摘要由PCIM官方授权发布内容摘要400V SiC MOSFET技术可以实现更低的开关损耗和导通损耗。简要介绍了该器件的概念和特性。在用于服务器应用的电源(PSU)中对其优势进行了研究，该电源在176V-265V交流输入和50V输出电压下可提供3.3kW的功率。该设备采用三电平飞跨电容图腾柱PFC。文中讨论了启动期间对飞跨电容充电的注...

2025-09-24 19:00:41

随着工厂智能化升级、电动车飞速发展、AI算力迅猛增长，功率半导体在提升能效方面扮演着至关重要的角色。那么英飞凌如何应对这些挑战？9月24日至26日，在上海新国际博览中心举行的PCIM Asia 2025，英飞凌将于N5馆C10展台为您揭晓答案！欢迎大家踊跃报名，9月底见！重磅产品，悉数亮相新一代CoolSiC™ MOSFET G2 1400V TO-247...

2025-09-22 17:00:00

【2025年9月18日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）与金风科技股份有限公司近日宣布深化其合作，为风力发电实现稳定可靠的电力传输。英飞凌将为金风科技提供搭载.XT技术的XHP™ 2 1700V IGBT5功率模块，提升金风科技GW 155-4.5 MW构网型风机的能...

2025-09-18 17:10:53

完整版内容请关注2025PCIM Asia英飞凌将为您带来更多分享*本论文摘要由PCIM官方授权发布内容摘要随着新能源技术的不断发展，系统对电力电子变流器的要求也越来越高。高效率、高可靠性和高功率密度越来越受到设计人员的重视，并可能成为当前和下一代变换器的标准。碳化硅（SiC）材料因其固有的宽禁带特性和高热导率，可在1kV...

2025-09-17 17:00:00

今年，英飞凌将在上海新国际博览中心N5馆C10展位携多款全球领先的功率半导体与系统解决方案亮相PCIM Asia 2025，全面展示电力电子技术的前沿产品及技术！除了这些，IPAC直播间即将首次亮相PCIM Asia展会现场！ 直播主题：与作者面对面，深度解读2025 PCIM Asia论文直播时间：2025年9月24日 15:30-17:00扫码立即报名你将可以...

2025-09-16 17:00:00

热设计指南功率半导体器件热设计系列文章上线！本专栏汇集了14篇由英飞凌资深专业人士撰写的功率半导体器件热设计系列文章，约3万字，涵盖热阻、结温、热容等多方面知识，从热阻基础到瞬态热测量，从结温获取到PCB设计，为你的热设计难题提供专业、权威且实用的技术参考。文章目录参考如下，快来探索吧！点击下面文章标题即...

2025-09-15 16:39:53

想了解大赛详情，请点击下方图片作者简介本文是第二届电力电子科普征文大赛的获奖作品，来自朱子钰的投稿。1前言想象一下，你是一个侦探，正在追踪一个神秘的窃贼。这个窃贼不是偷走你的财物，而是偷走你的电力。但别担心，我们有非侵入式负荷监测（NILM）技术，它就像一个智能侦探，能够追踪每一个电器的电力消耗，让你的...

2025-09-13 08:00:00

摘要功率半导体热设计是实现IGBT、SiC高功率密度设计的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识和测试的基本技能，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章已经比较系统地讲解热设计基础知识、相关标准和工程测量方法，本篇的话题是《使用热成像仪测温...

2025-09-12 17:00:00

英飞凌作为全球功率系统的市场领导者，将携带广泛的功率器件产品组合参加2025 PCIM Asia展会，并将于现场带来一系列精彩活动：01IPAC直播间首次亮相PCIM Asia展会现场你将可以在现场看到英飞凌资深“攻城狮”针对数篇本年度PCIM国际研讨会入选论文进行深度解读，话题涵盖：新型高功率CoolSiC™ MOSFET开关特性研究光伏系统高效...

2025-09-11 17:00:00

完整版内容请关注2025PCIM Asia英飞凌将为您带来更多分享*本论文摘要由PCIM官方授权发布内容摘要随着海上风电场容量的增加和选址向深远海进一步延伸，高压直流(HVDC)技术成为远距离电力传输的关键。本文介绍三种海上高压直流输电方案，包括两种完全基于模块化多电平变流器（MMC）的柔性直流输电方案，以及一种基于二极管整...

2025-09-09 17:17:43

驱动电路驱动电路设计是功率半导体应用的难点，涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护，实践性很强。为了方便实现可靠的驱动设计，英飞凌的驱动集成电路自带了一些重要的功能，本系列文章将详细讲解如何正确理解和应用这些驱动器的功能。文章目录参考如下，快来探索吧！点击下面文章标题即可阅读1.驱动电路设计（一）...

2025-09-09 16:09:59

新品速递英飞凌工业半导体菜单栏新品速递精选了近一年来最受读者欢迎的20篇新产品集锦。从碳化硅SiC MOSFET到IGBT 7系列单管和模块产品，再到固态隔离器、光伏逆变器、电动汽车充电直流-直流变换器等应用设计参考，这里汇集了功率半导体领域的最新科技与创新产品。无论您是工程师、设计师还是技术爱好者，都能在这里找到前...

2025-09-09 16:09:35