英飞凌工业半导体

2026-08-13 17:00:00

/ 摘要 /随着数据中心AI负载所需功率的快速增加，服务器的供电架构也随之发展。当前每个机架包含供电单元PSU、备用电源BBU及AI负载等，单相PSU的功率也逐步从3.3kW提升至12kW。然而当机架功率水平超过250kW时，供电电源正转向采用专用机架(即sidecar)进行供电和备电配置，并逐步过渡到三相交流供电模式。最后，随着机架功率...

2026-08-12 16:59:11

如果您对本文中的产品（推文代码：2026NPI21）感兴趣，需要英飞凌销售团队或代理商联系您，请识别下方“产品需求提交”中二维码，填写表单。新品专为300kW以上光伏逆变器设计新一代EasyPACK™ HD3模块新一代EasyPACK™ HD3是一款面向下一代光伏/储能组串式逆变器的高性能功率模块封装，额定电压1200V，电流最高达560A，并采用先...

2026-08-10 17:00:00

随着活动热度持续攀升，IPAC 2026固态变配——英飞凌智算电力基建应用技术大会报名持续火爆，行业关注度不断升温。聚焦智算中心供电架构升级，大会汇聚产业链领先企业、技术机构及学术界专家，围绕智算中心供配电架构、固态变配技术、宽禁带半导体应用、高效电源系统创新等热点议题展开深入探讨，共同探索智算时代电力基础设...

2026-08-06 17:00:00

作者简介 PROFILE候增全碳化硅的硬，我的沟通软，客户的事我死磕到底。核心摘要对于固态断路器（SSCB）而言，功率器件需要同时满足：超低导通损耗高电流承载能力强雪崩耐受能力极高可靠性相比传统SiC MOSFET，CoolSiC™ JFET具有：更低RDS(on)无栅氧层可靠性问题更强雪崩能力更适合SSCB和高压配电系统因此正在成为电网、数据...

2026-08-05 17:00:00

作者简介 PROFILE陈杰撸起袖子加油“GaN”上篇文章（参考阅读：）已经就GIT电流型和SG电压型氮化镓晶体管的内部构造和工作原理进行了介绍，在此基础上，本篇将继续介绍其对应驱动电路的设计。GIT电流型 GaN 晶体管的驱动电路GIT型和SG型两种增强型的GaN器件的栅极电荷都远低于Si基的器件，一般用来驱动标准MOS管的门极驱动芯...

2026-08-04 19:49:04

随着AI算力需求持续增长，智算中心正加速向高功率、高密度、高能效演进，供配电系统也迎来全新变革。作为IPAC技术应用大会首次打造的固态变配专题活动，IPAC 2026固态变配——英飞凌智算电力基建应用技术大会将于2026年8月25日在深圳举行。最新议程正式公布！会议日程本次大会围绕智算中心供电架构升级这一主线，从系统演进、...

2026-07-30 17:00:00

【2026年7月28日，德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新ISSI20BxxF固态隔离器（SSI）系列，将固态隔离技术引入过去主要由光隔离器（PVI）、光继电器（PVR）及机电继电器（EMR）覆盖的大批量应用场景。该系列采用紧凑型PG-DSO-8 150 mil封装...

2026-07-29 17:00:00

经典导读"经典导读"短视频专栏，致力于回顾并解读英飞凌工业半导体微信公众号上那些深受读者喜爱的经典文章。我们聚焦碳化硅SiC、IGBT、驱动等功率半导体应用主题等，英飞凌的资深工程师们通过视频真人导读方式，分享文章、视频等精彩内容中的技术要点与见解，与您一同重温这些经典之作，欣赏技术的魅力。本期特邀文章作者—...

2026-07-24 17:00:00

市场需要更加智能、快速且可靠的配电系统，英飞凌可以提供CoolSiC™ 产品系列满足这一日益增长的需求，赋能客户应对实际复杂挑战，最小化过载和故障等情况下的系统运行影响。基于 CoolSiC™ 的固态保护方案，其开关速度相较于机电系统快了上千个数量级，可以降低损坏风险、尽最大可能减少宕机时间并延长整个系统的使用寿命。...

2026-07-23 17:00:00

作者简介 PROFILE陈杰撸起袖子加油“GaN”氮化镓晶体管内部构造简介GaN 氮化镓晶体管（HEMT）的基本结构如下图1所示，以 GaN/AlGaN 异质结为主体，在AlGaN/ GaN的异质结界面处，由于氮化镓材料的自发极化效应与压电极化效应，形成了一层高电子浓度的导电通道——二维电子气（2DEG）；器件的最底层是衬底层(一般为Si材料，也有Si...

2026-07-22 17:00:00

如果您对本文中的产品（推文代码：2026NPI19）感兴趣，需要英飞凌销售团队或代理商联系您，请识别下方“产品需求提交”中二维码，填写表单。新品碳化硅EconoDUAL™ 3功率模块评估板：EVAL-FFXMR12MM1HEVAL-FFXMR12MM1H 评估板，支持对采用 CoolSiC™ 技术的 EconoDUAL™ 3 功率模块（如FF1MR12MM1H_B11）进行快速评估，该评估板...

2026-07-20 17:00:00

作者简介 PROFILE周明深耕碳化硅铸硬核功底，细研功率件的靠谱工程师Infineon TRENCHSTOP™ IGBT7 单管产品目前已形成完善的产品矩阵，涵盖650V、750V、1200V三种主流电压等级。基于不同应用场景的需求，产品系列分为T7、S7、H7三大系列，封装形式包含DTO在内共计6种，全系列累计推出56款产品，可实现对前代多数单管产品的兼...

2026-07-16 17:00:00

如果您对本文中的产品（推文代码：2026NPI18）感兴趣，需要英飞凌销售团队或代理商联系您，请识别下方“产品需求提交”中二维码，填写表单。新品采用 IHV B 封装的4500 V/ 1200 A IGBT模块：FZ1200R45HL4_B8IHV 4500 V、1200 A、130 mm单开关IGBT模块，采用IGBT4沟槽场截止技术，是高压直流输电（HVDC）、静止同步补偿器（Sta...

2026-07-13 17:00:00

来源：本文为第三届科普大赛三等奖作品，作者：肖淼淼。还记得电影《F1：狂飙飞车》中，那些让人肾上腺素飙升的镜头吗？男主桑尼驾驶着APX GP，在直道末端以超过300公里的时速呼啸而过。如果你用手机拍摄这一瞬间，得到的可能是一片模糊的光影——你只知道有辆车过去了，但完全看不清细节。但是如果用足够快的连拍速度和抓取...

2026-07-08 17:15:50

如果您对本文中的产品（推文代码：2026NPI17）感兴趣，需要英飞凌销售团队或代理商联系您，请识别下方“产品需求提交”中二维码，填写表单。新品用于中压驱动与电机控制的IGBT 7 EconoPACK™ 3模块EconoPACK™ 3 1700V TRENCHSTOP™ IGBT7模块为中压驱动与电机控制提供业界领先的性能。该模块采用发射极控制EC7二极管，集成整流...

2026-07-06 17:00:00

本视频聚焦固态变压器（SST）应用，介绍英飞凌搭载CoolSiC™ MOSFET的EasyPACK™功率模块的解决方案。SST正在重塑高压输电与AI数据中心供电架构，设备需在快速、持续的动态负载下稳定运行并满足15–20年寿命。基于.XT扩散焊技术，EasyPACK™模块的功率循环能力提升20倍以上，在严苛工况下保持卓越稳定性；高效SiC MOSFET设计提...

2026-07-03 16:00:00

来源：本文为第三届科普大赛获奖作品选登，作者：赵佳。Part01.电是如何产生的电的神奇旅程，要从清晨太阳投射到地球的第一缕阳光说起阳光不仅带来光明，也是取之不尽的清洁能源在山间，在屋顶，你可能都见过像这样的太阳能电池板太阳能电池板里有无数不安份的小球——电子，当阳光照射在太能阳电池板上，电子吸收了阳光的能...

2026-07-02 17:00:00

7月1日至3日，全球功率系统与物联网领域的半导体领导者英飞凌将携微控制器、汽车半导体、功率半导体及传感器等最新产品亮相“2026慕尼黑上海电子展”。本次展会将围绕人工智能、机器人、软件定义汽车、电动出行、能源基础设施、安全及物联网六大应用领域，系统呈现英飞凌的技术布局与创新成果，进一步彰显其以半导体技术推动...

2026-06-29 13:22:29

作者简介 PROFILE赵佳 碳化硅专家里最会写的，不间断传递硬核技术在新能源、工控、储能等高压大功率场景中，沟槽栅 SiC MOSFET凭借优异的开关性能被广泛应用。但在电机驱动、电源转换等感性负载场景中，MOSFET关断时因电流突变会在漏源极间产生高压尖峰。若无钳位电路吸收能量，器件可能进入雪崩击穿状态，轻则参数劣化，重...

2026-06-24 18:10:18

如果您对本文中的产品（推文代码：2026NPI16）感兴趣，需要英飞凌销售团队或代理商联系您，请识别下方“产品需求提交”中二维码，填写表单。新品英飞凌XHP™2半桥IGBT模块新产品（1700V，2000A/1400A ）XHP™2封装1700V 2000A/1400A半桥IGBT模块，搭载全新IGBT 8与EC 8芯片，实现更高功率密度与优化热管理，全面提升运行效率。...

2026-06-22 17:03:12

工业电机控制正面临更高的算法复杂度与性能门槛，需要在传感器信号处理、工业通信与边缘AI上保持高效，同时压缩BOM与板级面积、降低功耗。在脱碳与IoT趋势下，提升能效、强化安全与可靠性、缩短停机时间已成行业共识。英飞凌工业MCU聚焦实时控制，结合高性能内核与先进模拟/数字能力，提供灵活系统架构与高级安全功能，帮助...

2026-06-18 16:00:00

作者简介 PROFILE赵佳 碳化硅专家里最会写的，不间断传递硬核技术在碳化硅SiC MOSFET快速普及的今天，短路稳定性一直是行业关注与争议的焦点。很多工程师误以为：SiC MOSFET 天生扛不住短路，是硬缺陷。事实真的如此吗？英飞凌基于大量实测与器件机理研究，为大家还原 CoolSiC™ MOSFET 短路特性的真相，帮你在选型与应用中...

2026-06-17 17:19:05

如果您对本文中的产品（推文代码：2026NPI15）感兴趣，需要英飞凌销售团队或代理商联系您，请识别下方“产品需求提交”中二维码，填写表单。新品REF-15KW2LBOOST：15kW光伏升压Boost变换器参考设计REF-15KW2LBOOST是一款用于光伏升压变换器的快速原型开发参考设计，功率最高可达15kW，具备三个独立直流输入通道。该设计基于模...

2026-06-15 17:00:00

作者简介 PROFILE赵佳 碳化硅专家里最会写的，不间断传递硬核技术在关于碳化硅（SiC）MOSFET 的栅极不稳定性的研究中，除了上期介绍的的 DC BTI，还有一种碳化硅专属的退化机制—— 栅极开关不稳定性（GSI），它在高频开关的实际应用中引发的参数漂移，远超传统 DC BTI 测试的结果，成为影响 SiC 器件长期稳定运行的关键问题...

2026-06-11 17:02:46

英飞凌与西门子携手推动固态断路器技术在数据中心、生产设施及电池储能系统等应用场景的发展固态断路器是一种基于半导体技术的快速响应电子装置，可在短路或过载时保护电路和组件免受损坏英飞凌碳化硅功率模块有效提升西门子断路器的效率、功率密度和可靠性【2026年6月10日，德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导...

2026-06-10 17:06:12

无论是在电动汽车车载充电，还是 AI 数据中心供电等应用环境中，在空间愈发受限的情况下，对更高功率密度解决方案的需求却持续增长。为了满足这一应用需求，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）在 PCIM Europe 2026展会上，推出了用于紧凑型设计的功率模块及封装方案EasyPACK™ S。EasyPACK™ S的封装高度...

2026-06-09 12:00:00

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正持续扩展其 CoolSiC™ JFET 产品组合，以满足 AI 数据中心不断增长的需求，并积极响应电源保护技术向固态化发展的趋势。在此基础上，英飞凌为CoolSiC™ JFET 产品组合增添新的器件、封装选项和配置，旨在为高性能的供配电系统和用电保护系统提供支持。公司于去年推出...

2026-06-08 16:48:37

本视频聚焦英飞凌TRENCHSTOP IGBT7大电流器件在驱动应用中的功率密度与系统尺寸优化。比较了应用TO‑247 PLUS封装的75/100/120A器件，与并联的TO247-3封装的40A器件的下功率密度，并在标准条件下评估了两种热界面材料对功率密度的提升效果。结果显示：120A器件配硅导热片功率密度提升约75%，配陶瓷导热片可达约120%，在保持...

2026-06-05 17:23:18

作者简介 PROFILE赵佳 碳化硅专家里最会写的，不间断传递硬核技术在碳化硅（SiC）MOSFET的长期运行中，有一个容易被忽视却影响重大的现象——DC BTI（恒定栅极偏置下的温度不稳定性）。它会悄悄引发器件阈值电压漂移，进而影响导通电阻、增加损耗，甚至缩短器件寿命。作为功率半导体领域的标杆，英飞凌不仅深度解析了 DC BTI...

2026-06-04 17:00:00