华为回应盘古大模型“抄袭”阿里；台积电美国工厂遭美籍员工集体诉讼；印度硬刚美国，计划对其征收报复性关税

▲ 点击上方蓝字关注我们，不错过任何一篇干货文章！

芯片圈

华为回应盘古大模型“抄袭”阿里通义千问

近日，网络上有声音质疑华为盘古大模型（Pangu Pro MoE）涉嫌抄袭阿里巴巴通义千问模型（Qwen-2.5 14B）。7月5日，华为盘古Pro MoE技术开发团队发表声明称，盘古Pro MoE开源模型是基于昇腾硬件平台开发、训练的基础大模型，并非基于其他厂商模型增量训练而来。

三星美国芯片工厂，推迟完工

三星电子正在推迟其位于美国得克萨斯州的半导体工厂的完工时间，因为三星难以找到该工厂产品的客户。此前，三星宣布将在未来几年内向得克萨斯州投资超过370亿美元，其中包括在泰勒市建设一座先进芯片制造工厂。该工厂原计划于2024年投入运营，但目前已推迟至2026年。据分析，得克萨斯州当地的芯片需求并不强劲，且三星数年前规划的工艺节点已无法满足当前客户的需求。若对工厂进行全面改造，将是一项耗资巨大的工程。另有人称，三星最初计划在该工厂生产4nm芯片，但后来调整计划，增加了更先进的2nm芯片，以适应市场需求。

苹果被判侵犯3G专利

美国特拉华州联邦陪审团裁定，苹果公司的iPhone、iPad和Apple Watch设备侵犯了与3G无线通信相关的专利，需向西班牙公司TOT Power Control赔偿1.107亿美元。TOT Power Control是由工程师Alvaro Lopez-Medrano创立的公司，他发明了一项管理“如何使用电力响应无线电信号与干扰比率变化”的技术，并为其申请了专利。

根据陪审团的判定，苹果并非需要支付一笔“一次性赔偿金”，而是必须按照每台侵权设备25美分的标准支付“持续专利使用费”，总计金额达110734008美元。苹果公司辩称，被指控侵权的TOT专利无效，但在法庭上未能证明这一点。TOT公司曾对LG、三星、Verizon、AT&T和T-Mobile提起诉讼。苹果公司表示对裁决感到失望，并将提起上诉。这一判决对苹果公司来说是一个重大的法律挑战，可能会对其财务状况和市场份额产生影响。

印度硬刚美国，计划对其征收报复性关税

据新华社援引外媒报道，印度于 7 月 4 日向世界贸易组织通报，因美国对汽车及零部件加征关税冲击印度出口，印方计划对美征收报复性关税。

值得关注的是，印度当局今年 6 月刚敲定新的电动汽车政策。根据政策，允许企业以 15% 的优惠关税进口单价 3.5 万美元（约合 25.1 万元人民币）的电动汽车，期限为五年。但车企需满足两个条件：一是在印度投资 4.86 亿美元（约合 34.82 亿元人民币）用于电动汽车制造，二是每年进口量上限为 8000 辆。此外，企业需在 3 年内实现 25% 的本土化生产，5 年内提升至 50%。

台积电美国工厂遭美籍员工集体诉讼

据外媒报道，17 名美籍员工向美国加州北区法院提起集体诉讼（案号 5:24-cv-5684-VKD），指控台积电亚利桑那工厂存在系统性歧视与安全隐患，包括：

职场歧视：总部 HR 筛选中文简历被指“内定”，招聘要求“普通话优先”且仅用中文发通知，美籍员工遭同事孤立，因为同事在他们面前只说普通话；
环境问题：非亚裔员工被呵斥“愚蠢 / 懒惰”，关键会议强制使用中文、文档仅提供中文版，考核标准更严苛致晋升受阻；
人身侵害：退伍军人训练期间因公司拒派出租车遇车祸，就医无翻译；黑人工程师桌面被挂橡胶鸡涉嫌种族歧视，中国台湾籍男性员工经常开不当玩笑，涉嫌职场霸凌等等。

台积电回应称 "不对诉讼庭外评论"，强调为 3000 余名全球员工团队自豪，致力于打造安全包容的工作环境。

新产品

瑞萨推出全新GaN FET

瑞萨推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，适用于人工智能（AI）数据中心和服务器电源（包括新型800V高压直流架构）、电动汽车充电、不间断电源电池备份设备、电池储能和太阳能逆变器。

纳芯微推出车规级自动双向型电平转换器

纳芯微推出车规级四位自动双向型电平转换器NCAS0104和NCAB0104。新推出的电平转换器具备高达15kV的ESD性能，支持更宽的端口输入电压（端口A：1.1~3.6V；端口B：1.65~5.5V），可广泛适用于汽车信息娱乐系统、高级辅助驾驶系统、以及AI服务器等相关应用中，是系统间跨电压域互联互通的关键元件。

英飞凌推出CoolSiC MOSFET 750 V G2

英飞凌推出新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2。这款新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2专为提升汽车及工业功率转换应用的系统效率和功率密度而设计。它提供一系列精细化的产品组合，在25°C时R DS(on) 值为4至60 mΩ，广泛适用于车载充电器（OBC）、 DC-DC转换器、电动汽车（xEV）辅助设备等应用，以及电动汽车充电、光伏逆变器、储能系统、通讯和开关电源（SMPS）等工业应用。

一级市场

碳化硅企业，首单江苏省AIC股权基金投资

忱芯科技（UniSiC）斩获江苏省首单AIC（金融资产投资公司）股权基金投资，一举创下省内金融创新与硬科技融合的标杆案例！此次投资由工商银行苏州分行联合国家级资本平台重磅打造，不仅彰显了忱芯科技作为碳化硅功率半导体测试设备领域绝对龙头的行业地位，更标志着中国高端半导体测试装备的崛起再次获得国家战略资本的高度背书。忱芯科技是功率半导体自动化测试系统解决方案创新领导者，产品可覆盖SiC、GaN以及Si基功率半导体器件各测试环节，为功率半导体IDM企业、新能源车厂及Tier1、功率器件设计与封装企业提供精准、可靠、高性价比的测试解决方案。