TGV两大应用:Interposer & Substrate
- 2025-07-30 18:04:01
玻璃中介层(Glass Interposer)与玻璃基板(Glass Substrate)是半导体先进封装中的两种关键材料,均以玻璃为核心,但在功能定位、技术结构及应用场景上存在显著差异。
图源工业技术研究院
以下从多个维度解析二者的区别:
一、功能定位与层级差异
1. 玻璃中介层(Glass Interposer)

图 封装面积为2700mm2的TGV转接板 图源:云天半导体官网
a. 核心作用:作为芯片与封装基板之间的 中间连接层 ,实现高密度互连。例如,在2.5D封装中,它通过玻璃通孔(TGV)连接GPU与高带宽内存(HBM),缩短信号路径,降低延迟。
b. 替代对象:传统硅中介层(TSV),解决硅材料的高成本、热膨胀系数(CTE)失配问题。
2. 玻璃基板(Glass Substrate)
任意铸造玻璃基板原型,图源:Anycasting
a. 核心作用:作为封装结构的支撑底座,直接承载芯片或中介层,提供系统级电气连接和物理支撑。例如,英特尔玻璃基板可集成多个芯粒(Chiplet),替代有机基板(如ABF)。
b. 替代对象:有机印刷电路板(PCB)或有机封装基板,解决大尺寸封装中的翘曲、散热瓶颈。
二、技术实现与结构特点
维度 | 玻璃中介层 | 玻璃基板 |
核心技术 | TGV(玻璃通孔):微米级钻孔+铜填充,实现垂直互连 | 玻璃芯材+高密度布线层(RDL),无需TSV/TGV |
结构特征 | 薄型(100–400μm),多层细间距布线(线宽≤2μm) | 厚(400–1100μm),支持10–20层高密度布线,表面超平坦(纳米级) |
制造工艺 | 激光蚀刻+湿法化学处理,面板级(Panel-Level)加工 | 大尺寸切割(可达600×650mm),结合封装级RDL工艺 |
核心优势 | 低介电损耗、高频信号完整性、CTE匹配有机基板 | 超高尺寸稳定性(翘曲降低50%)、散热优化、支持超大芯片(250×250mm) |
三、应用场景与市场定位
1. 玻璃中介层
a. 适用场景:高性能计算(HPC)芯片中GPU与HBM的互连;
5G/6G射频模块,依赖其低信号损耗特性;
Chiplet异构集成,如三星计划2028年量产用于AI芯片。
b. 商业案例:三星联合Chemtronics开发71×71mm玻璃中介层,面板级量产效率比硅中介层高4倍。

HBM与GPU集成在一起 来源:美光官网
2. 玻璃基板
a. 适用场景:超大AI芯片封装(如英伟达120×120mm以上芯片);
扇出型面板级封装(FOPLP),解决有机基板翘曲问题;
未来玻璃PCB替代,实现芯片-基板-CTE统一(如华为、AMD布局)。
b. 商业案例:英特尔玻璃基板将功耗降低50%,互连密度提高10倍,目标2026–2030年量产。
四、产业链布局与代表企业
技术方向 | 代表企业及动态 |
玻璃中介层 | 三星(2027年量产)、通快-SCHMID(激光蚀刻工艺)、京东方(2025年试点线) |
玻璃基板 | 英特尔(2026量产)、三星电机(2027量产)、SKC Absolics(试产)、沃格光电(10万㎡产能) |
五、小结:核心区别与协同趋势
本质差异:中介层是互连桥梁,基板是承载底座;前者聚焦芯片间高速通信,后者解决系统级封装稳定性。
协同演进:未来可能整合为“玻璃中介层+玻璃基板”一体化方案(如三星世宗试验线),直接替代有机PCB,实现从芯片到系统的全玻璃互连。
玻璃技术正重塑半导体封装:中介层攻“互连密度”,基板破“尺寸极限”。两者虽分工不同,但共同指向更高效、更集成的AI芯片未来。
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