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SiC作为第三代半导体材料的代表，具有高禁带宽度、高硬度和耐磨性、高热导率等优异特性，是制造高压、高温、高频功率器件的理想材料。但大尺寸SiC晶体的制备一直是全球技术难题，此前行业主流量产尺寸仍为6-8英寸衬底。

近期，我国2家企业在12英寸SiC技术领域取得了显著进展：

  • 晶越半导体：研制出高品质12英寸SiC晶锭；

  • 天成半导体：成功研制出12英寸N型碳化硅单晶材料。

晶越半导体：

研制出高品质12英寸SiC晶锭



晶越半导体继2025年上半年成功量产8英寸碳化硅衬底后，公司持续投入并不断加大研发力度，并在热场设计、籽晶粘接、厚度提升以及缺陷控制方面不断调整和优化工艺，在7月21日研制出高品质12英寸SiC晶锭，标志晶越成功进入12英寸SiC衬底梯队。

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此次技术突破的背后，是晶越团队对多个关键环节的持续攻关。面对大尺寸晶体生长过程中热场分布不均、籽晶对位困难、厚度控制精度不足以及晶体缺陷风险增大的挑战，公司系统性优化了热场结构设计、籽晶粘接工艺参数、厚度均匀性控制方法，并在缺陷抑制方面取得显著成效。通过这些核心环节的协同优化，晶越成功实现了12英寸SiC晶体的高质量生长。

天成半导体：

成功研制出12英寸N型碳化硅单晶材料



2025年第二季度，山西天成半导体材料有限公司成功研制出12英寸（300mm）N型碳化硅单晶材料。

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天成半导体一直坚持聚焦碳化硅材料研发及生产，先后攻克了大尺寸扩径工艺和低缺陷N型单晶材料的生长工艺。12英寸N型碳化硅单晶材料的成功研发，是天成半导体发展史上的一个重要里程碑，更是公司迈向新征程的起点。

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接下来，天成半导体将全力以赴推进大尺寸碳化硅单晶材料的产业化技术，深化研发投入，保持技术领先地位。

来源：半导体在线整理自晶越半导体、天成半导体


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