1700V EconoDUAL™ 3 IGBT7助力690V变频器扩容提频
- 2025-07-30 17:26:51
产品概述
由于芯片电流密度的提升,IGBT7模块有6个电流等级和8种产品,如下表所示。

■ 更高电流等级:除了与IGBT4的4个电流等级兼容,IGBT7还提供750A和900A两款更高电流等级的产品,可以进一步提升系统的功率密度。
■ 加强反并联二极管:此外,FF750R17ME7D_B11配置了1200A的反并联二极管芯片,更适合零功率因数和负功率因数应用工况,比如SVG,使用IGBT模块的AFE整流单元。
■ 直接水冷设计:FF900R17ME7W_B11的铜基板采用了直接水冷设计,可以进一步提升模块的散热效率和系统的功率密度。

EconoDUAL™ 3
封装外形图

FF900R17ME7W_B11
直接水冷模块的铜基板
性能优势
1700V EconoDUAL™ 3 IGBT7除了有更丰富的产品系列和更高的电流等级,还有哪些独特之处可以助力提升690V变频器的系统价值?且听我一一分析。
1
IGBT7的VCE sat更低
以FF600R17ME4_B11和 FF600R17ME7_B11为例,当Ic为600A,结温为150℃时,两种器件的IGBT饱和压降为分别为2.45V 和1.95V。FF600R17ME7_B11比FF600R17ME4_B11低0.5V,大约20.4%。

2
IGBT7的动态特性更优
由于EC7二极管芯片的特性更软,IGBT7芯片的开通dv/dt可以更高,开通损耗也更低。在相同的测试平台,IGBT7模块FF900R17ME7_B11的开通dv/dt最高为9.4kV/us,而IGBT4模块FF600R17ME4_B11仅为3.4kV/us(绿色实线对应的dv/dt最大值),如下图a所示。主要的原因是在图b中,FF600R17ME4_B11的二极管EC4在3.4kV/us已经出现了比较明显的关断电压震荡,从而限制了IGBT开通速度的增加。在相同的关断电阻,FF900R17ME7_B11的dv/dt比FF600R17ME4_B11大,有利于降低关断损耗。

a

b
3
IGBT7的工作结温更高
在下图a中,IGBT7允许的最高工作结温为175℃,持续时间t1最大为60秒,占空比Dmax最高为20%。当温度周期T为300秒时,t1最大正好是60秒。此时,IGBT7的结温时间曲线和变频器典型的重过载电流时间曲线重合,如下图c所示,从而可以根据IGBT7的150℃长期结温和175℃过载结温评估变频器的重过载工况。与下图b中IGBT4的最高工作结温150℃相比,IGBT7额外的25℃过载结温可以进一步提升系统的功率密度。

a – IGBT7允许的工作结温和时间曲线;
b – IGBT4允许的工作结温和时间曲线;
c – 变频器典型的重过载电流和时间曲线
4
IGBT7的EconoDUAL™ 3的
功率端子散热更强
随着系统功率密度的提升,EconoDUAL™ 3封装交直流功率端子的温升可能会成为系统设计的瓶颈。为此,新一代的EconoDUAL™ 3封装优化了内部结构,增加了DCB和功率端子之间的铜绑定线数量,以提高散热效率,如下图所示。

a – FF600R17ME4_B11

b – FF600R17ME7_B11
EconoDUAL™ 3模块功率端子与DCB连接的铜绑定线
5
IGBT7的EconoDUAL™ 3的
内部等效电阻更低
此外,如下表所示,IGBT7模块内部连接的欧姆电阻RCC’+EE’,也称引线电阻,在常温下为0.8毫欧,比IGBT4模块的1.1毫欧降低了27.3%,可以降低引线电阻的损耗。
EconoDUAL™ 3 IGBT4和IGBT7
模块内部的引线电阻阻值

PLECS仿真工况:既然IGBT7比IGBT4有这么多的优势,那它在690V变频器的产品层面表现如何?莫急,下面主要以450A电流等级的IGBT7和IGBT4为例,通过电力电子仿真软件PLECS和基于规格书的器件热模型对两种IGBT模块进行详细的仿真分析。下表是690V逆变器的典型工作参数。

PLECS仿真结果,输出电流和结温:下图是四种IGBT模块的输出电流和IGBT芯片结温的仿真曲线。IGBT4的最高工作结温是150℃,FF450R17ME4_B11对应的输出电流为275A。IGBT7的最高工作结温是175℃,FF450R17ME7_B11对应的输出电流343A, 比IGBT4高24.7%。同理,FF600R17ME4_B11的输出电流为302A,FF600R17ME7_B11的输出电流380A,比IGBT4 高25.8%。相同输出电流时,IGBT7的结温明显低于IGBT4,且随着输出电流的增加,两者的温差越来越大。

IGBT7结温低的原因是损耗低。假定一个IGBT模块的输出电流为271A,下图是半个IGBT模块的损耗对比, FF450R17ME4_B11的损耗是325.9W,FF450R17ME7_B11的损耗是246.2W,比FF450R17ME4_B11低24.4%,因此IGBT7模块可以降低系统损耗和提升系统效率。

PLECS仿真结果,结温,壳温和散热器温度:下图是IGBT的结温、壳温和散热器温度对比,FF450R17ME4_B11的结温、壳温和散热器温度分别为115.3℃、98.4℃和91.2℃,FF450R17ME7_B11分别为105℃、86.6℃和79.5℃。IGBT7的结温、壳温和散热器温度比IGBT4低10.3℃、11.8℃和11.7℃,可以提高系统的可靠性。

PLECS仿真结果,提升输出电流和开关频率:IGBT7损耗低和温升低的优势有利于提升IGBT的输出电流或者开关频率(载频)。在1250Hz,217A输出时,FF450R17ME4_B11的结温为115.3℃,FF450R17ME7_B11的结温为105℃。如下图所示,如果保持与FF450R17ME4_B11相同的开关频率和结温,FF450R17ME7_B11的输出电流可以增加到240A,增加了23A,10.6%。如果保持与FF450R17ME4_B11相同的输出电流和结温,FF450R17ME7_B11的开关频率可以增加到1750Hz,增加了500Hz,40%。

IGBT开关频率[Hz]
IGBT7助力690变频器功率跳档的PLECS仿真:IGBT7允许的最高工作结温是175℃,IGBT4是150℃。参考下表690V 200kW和250kW变频器的额定电流、轻过载电流和重过载电流,通过器件的规格书热模型和PLECS仿真评估FF450R17ME7_B11是否能实现变频器的功率跳档。仿真虽然和真实的变频器系统有差距,但是它能帮助我们快速评估器件性能的表现趋势。

下表是IGBT4和IGBT7的仿真结温对比,在不同工况下有如下区别:
在额定电流工况下,FF450R17ME4_B11的结温是115.3℃,距离最高结温有34.7℃的裕量。FF450R17ME7_B11的结温是129.6℃,距离IGBT7允许的最高连续运行结温150℃有21.4℃的裕量。
在110%轻过载工况,FF450R17ME4_B11的结温是122.8℃,距离最高结温有27.2℃的裕量。FF450R17ME7_B11的结温是135.1℃,距离最高结温有39.9℃的裕量
在150%重过载工况,FF450R17ME4_B11的结温是118.7℃,距离最高结温有31.3℃的裕量。FF450R17ME7_B11的结温是137.2℃,距离最高结温有37.8℃的裕量。
基于仿真评估结果,从结温裕量的角度来说,FF450R17ME7_B11满足250kW变频器的工况,与FF450R17ME4_B11相比,它可以助力变频器功率从200kW扩展到250kW,实现功率跳档。

总结
本文首先介绍了1700V EconoDUAL™ 3 IGBT7的产品系列和性能特点,然后以1700V 450A IGBT4和IGBT7为例,通过PLECS仿真详细研究了IGBT7在损耗、温升和高载频等方面的优势。由于IGBT7的最高工作结温是175℃,仿真结果表明IGBT7可以实现变频器的功率跳档。为了便于大家理解,下图总结了IGBT7的产品优势和对690V变频器的应用价值。


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