第二代750V CoolSiC™ MOSFET凭借成熟的栅极氧化层技术，在抗寄生导通方面展现出业界领先的可靠性。该器件在图腾柱、有源中性点钳位（ANPC）、维也纳整流器和飞跨电容（FCC）等硬开关拓扑中表现卓越。更值得注意的是，第二代产品显著降低了输出电容（C_oss），使其在循环变流器、CLLC、双有源桥（DAB）和LLC等软开关拓扑中能实现更高频率的开关操作。

第二代CoolSiC™ MOSFET 750V完美适用于对可靠性、功率密度和效率有严格要求的应用，包括：车载充电机、DC-DC变换器、DC-AC逆变器，以及人工智能服务器、光伏逆变器和电动汽车充电设备。其采用的Q-DPAK封装既能充分发挥碳化硅固有的高速开关特性，同时确保约20W的功率耗散能力。

产品型号：

■ AIMDQ75R016M2H

■ AIMDQ75R025M2H

■ AIMDQ75R060M2H

■ IMDQ75R004M2H

■ IMDQ75R007M2H

■ IMDQ75R016M2H

■ IMDQ75R025M2H

■ IMDQ75R060M2H

100%雪崩测试验证

业界领先的R_DS(on) × Q_fr

优异的R_DS(on) × Q_oss和R_DS(on) × Q_G表现

低C_rss/C_iss和高V_GS(th)

采用.XT扩散焊

配备驱动源极引脚

鲁棒性和可靠性提升

硬开关效率卓越

开关频率更高

抗寄生导通能力出色

行业领先的散热性能

开关损耗显著降低

通过100%雪崩测试，专为汽车与工业应用设计

扩展负栅极驱动电压范围（-7V至-11V）

增强型热性能(高达200℃)

FOM较上一代产品提升20-35%

高V_GS(th) + low C_rss/C_iss=0V零伏可靠关断

增强型热性能(高达200℃)

工业应用场景：

汽车电子应用：