【半导体设备】6家半导体清洗设备企业竞争力解析

半导体产业研究
2025-07-30 08:00:00

【内容目录】

1.湿法清洗设备未来市场趋势

2.6家清洗设备企业介绍

3.总结

【湾芯展推荐】本文涉及的半导体清洗设备企业

凯迪微/KDW、亚电科技/AELsystem、智程半导体/ZSE、提牛科技/STN

科伟达/KEEPAHEAD、远为芯途/YWXT

湿法清洗设备未来市场趋势

湿法清洗设备作为半导体前道晶圆制造过程中的核心工艺装备之一，随着特殊清洗工艺需求、制程节点的发展路径，形成和发展创新性的业务增长空间。例如通过先进封装技术提升芯片整体性能已成为行业趋势，先进封装湿法设备便包括TSV（硅穿孔）清洗、UBM/RDL（凸点底层金属/薄膜再分布技术）清洗、键合清洗等，随着先进封装的快速发展，相关湿法设备市场需求迎来快速增长。

根据弗若斯特沙利文统计，2020-2024 年期间，全球半导体湿法清洗设备市场规模由 332.1 亿元增长至 527.3 亿元，年复合增长率为12.3%，预计 2025-2029 年市场规模将进一步由 568.2 亿元增长至 843.2 亿元，期间年均复合增长率为 10.4%。在上一篇文章中，已经对国内清洗设备上市公司代表的市场表现（25-Q1）进行分析，本文将继续盘点国内知名非上市的清洗设备厂商代表，帮助读者更好地了解国内清洗设备的发展情况。

6家清洗设备企业介绍

凯迪微

企业简介：广东凯迪微智能装备有限公司（以下简称“凯迪微”）成立于2018年，专注于半导体湿法工艺，掌握SPM、DHF、SC1/SC2、SPINE、H3PO4、BOE、O₃、Nano spray，DIW等清洗技术，覆盖刷洗、去胶、刻蚀、晶圆再生等关键制程28～350nm工艺段，适配6/8/12英寸晶圆。

核心技术：兆声波空化控制技术、二流体雾化喷嘴技术、化学液闭环再生系统

关键应用：刷洗、光阻去除、有机清洗、金属刻蚀、成膜预清洗、介质膜刻蚀、晶圆减薄、背面清洗、金属层剥离、晶圆再生等各种先进制程等

市场竞争力：行业20年，深耕清洗技术，专注半导体湿法工艺，碳化硅细分领域；团队完善，管理基础扎实；客户及应用场景丰富，产业化速度快

代表产品：BC200-A08

工艺说明：以整批晶圆盒搬运方式，结合化学溶解、物理冲刷与流体动力学设计，结合马兰戈尼效应干燥，实现晶圆批次高效清洗。

应用场景：1.预清洗 2.去胶清洗 3.金属去除 4.氮化硅去除 5.控片回收等

亚电科技

企业简介：亚电科技是半导体晶圆制造行业湿法制程设备商, 专注于晶圆前道湿法刻蚀清洗技术, 是国内首批推进半导体高端设备国产化的企业之一。亚电的核心产品包括8吋、12吋槽式/单片湿法刻蚀清洗设备，作为一家拥有自主知识产权的高新技术企业，所有核心技术均已申请发明专利。通过多年的技术研发和积累，亚电通过多样化、个性化的解决方案致力于为客户提供更有竞争力的产品和服务。

核心技术：湿法清洗全核心及特殊工艺全面覆盖

关键应用：前道晶圆加工-前段工序（FEOL）、前道晶圆加工-后段布线工序（BEOL）、后道封装、晶片制备、晶片回收

市场竞争力：

自主核心技术壁垒：深耕半导体湿法清洗设备]领域，掌握多项具有自主知识产权的核心技术与工艺，实现进口替代；

深度客户协同与快速响应：深刻理解客户工艺需求，具备强大的定制化开发能力和快速响应机制，为客户提供从设计到量产的端到端解决方案；

制造本土化与供应链优势：依托完善的国内供应链和精益管理，在保障品质的同时，提供更具竞争力的成本优势和更安全的供应链保障；

领先客户认可与认证：核心产品已成功导入多家主流半导体设备商及头部晶圆厂供应链，获得广泛认可

代表产品：

智程半导体

企业简介：苏州智程半导体科技股份有限公司创立于2009年，作为专精特新重点“小巨人”企业及江苏省高新技术企业，始终深耕半导体湿制程装备领域

核心技术：高精度湿法清洗设备，采用智能化控制与纳米级工艺，满足先进制程对颗粒控制和表面洁净度的严苛要求。通过“控制-自反馈”技术优化生产效率，降低综合成本，适配12英寸晶圆量产需求

关键应用：集成电路制造、先进封装、化合物半导体、半导体衬底等

市场竞争力：凭借持续研发投入和核心技术突破，自研设备关键工艺参数比肩国际龙头，成为国产替代的领先企业，完成了该领域12英寸先进制程制造从设备到工艺全流程完全自主可控

代表产品：单片湿法刻蚀清洗设备（SC3100系列）

该系列可广泛应用于多种前端工艺（FEOL）和后端工艺（BEOL）,可根据不同应用配备不同化学药液，有效去除晶圆表面颗粒、有机物和金属离子；该系列设备也可应用于晶圆制造、MEMS制造，以及功率器件制造领域

提牛科技

企业简介：上海提牛科技股份有限公司,坐落在中国上海市奉贤区，拥有现代化的生产车间。国家高新技术企业。主要从事半导体湿制程领域设备( 6-12寸) , 如:集成电路、大硅片材料、碳化硅等制程中的湿法刻蚀清洗设备。

核心技术：AWB 架构设计技术、IPA 干燥机技术、高产能排程技术、晶圆无片架清洗技术、晶圆盒自动转换技术、不同尺寸晶圆兼容技术、芯片减薄后清洗与干燥技术、槽式金属蚀刻与芯片槽内旋转技术等

关键应用：晶圆制造及光伏、LED等

市场竞争力：深耕晶圆清洗设备十余年，积累了丰富的研发、设计、生产经验，掌握了清洗设备所需的核心技术，具备产品定制化设计开发能力

代表产品：12 inch Wet Station全自动清洗机

1.High Throughput:

● AWB-300能够实现每小时600片/hr的晶圆清洗产能，结合缓冲模块和高速传输模块实现。

2.稳定且高度可靠模块化之设计:

● 最小尺寸的搬入环境，及周边配套机台措施。

● 采用了将装置本体分割、组合成5个独立的简单模块。

● 清洗槽2槽作为1模块独立手臂运作，实现快速清洗与搬送。

3.干燥单元:

● 搭载了干燥系统“HIPET”，二次元干燥机。

● 提供高浓度IPA，可大幅抑制水印，快速降低表面张力，防止图案倒塌，实现Wafer干燥与Particle颗粒控制之可能。

科伟达/KEEPAHEAD

企业简介：深圳市科伟达超声波设备有限公司是一家专业从事清洗设备的生产厂家，是涵盖锂电池清洗机、超声波清洗机、表面处理设备、蒸发处理设备、碳氢清洗机等的研发、制造、营销及服务于一体的大型企业

核心技术：精密超声清洗技术

关键应用：光学部件，光伏零件，电子半导体零件

代表产品：KWD-10280SHT全自动半导体晶片清洗机

耐高温，高效过滤器烘干系统，工件干净无水迹

远为芯途

企业简介：四川远为芯途半导体科技有限公司（以下简称“远为芯途”），依托江苏南通远景智能装备有限公司的雄厚产业基础，于2024年作为重点引进项目落户四川省成都市经开区。公司致力于建设西南地区规模最大、技术最先进的湿法制程装备及工艺一体化研发制造基地。

远为芯途集研发、设计、制造、销售及服务于一体，专注于为全球半导体产业客户提供先进的工艺装备解决方案。公司核心产品线涵盖单片及槽式湿法清洗设备、电镀设备、涂胶显影设备以及供液系统设备等关键制程装备。

核心技术：远为芯途在清洗与雾化技术领域持续创新，开发了AI辅助的介尺度绕流清洗方案。该方案尝试通过多参数优化模型提升工艺稳定性，目前测试数据显示兆声波控制精度可达±0.1 rpm，颗粒去除率（PRE）在部分应用场景中达到99.5%；公司独家掌握高粘液体薄膜射流超细雾化技术专利群，率先实现常温IPA干燥与直写式涂胶装备的产业化应用，技术指标达到国际领先水平。

关键应用：

1. 前道制程（FEOL）

技术需求：超洁净、纳米级精度

晶圆入场清洗

● 去除硅片表面颗粒/金属污染（目标：≤0.5个/cm²@0.1μm）

● 关键设备：槽式/单片式兆声波清洗机光刻后清洗清除光刻胶残留及显影液（兼容i线/KrF胶）技术难点：避免图案坍塌（IPA蒸汽干燥技术）

2. 后道封装（BEOL）

技术需求：高深宽比结构处理

TSV清洗与电镀：

● 硅通孔（TSV）清洗：空化效应控制（盛美SAPS技术对标）

● TSV电镀：深宽比10:1填充（远为芯途边缘不均匀性≤6.8%）

凸块(Bump)/铜柱(Cu Pillar)工艺:

● 清洗：去除电镀后残留（酸性/碱性配方切换）

● 电镀：铜柱高度一致性控制（±1μm）

3. 化合物半导体

技术需求：硬质材料处理SiC/GaN器件清洗

● 解决材料高硬度导致的颗粒附着问题（兆声能量需提升20%）

● 特殊药液适配（如SC1配方优化）

4. 先进封装技术需求：异质集成

● 高密度凸块：50μm间距以下电镀（电流密度分布算法）

● RDL（重布线层）：电镀铜层均匀性（膜厚σ＜5%）

5. 功率器件

技术需求：大厚度/高电流

厚铜电镀（＞50μm）

6. 科研与特种器件

技术需求：多功能性

● 高频元件镀层：金/银电镀（低粗糙度Ra＜0.1μm）

● 高功率元件：散热金属层沉积（如铜-石墨烯复合镀）

● 清洗挑战：多材料界面污染控制

市场竞争力：远为芯途主力产品矩阵展现出强劲的市场竞争力。单片/槽式清洗设备通过AI建模与超过2000次实验迭代的持续优化，在结构与工艺层面实现双重突破，可精准适配40nm及以上制程的晶圆清洗需求；精密电镀设备攻克深宽比 10:1 TSV 电镀技术，边缘不均匀性≤6.8%，能高效适配 12 英寸晶圆及 Cu Pillar 沉积场景，为不同制程与应用需求提供高性能解决方案，在市场中具备显著竞争优势。

代表产品：

1.槽式清洗设备：可高效去除 2、4、5、6、8、12 英寸晶圆表面的有机物、氧化层、颗粒及金属，具备 1 篮 / 批或 2 篮 / 批（每篮 25 片）的处理能力，槽体集成循环、过滤、加热、超声、兆声、抛动及干燥功能，搭配兆声波清洗与 IPA 干燥技术，能轻松达成优良验收指标，为半导体制造过程中的晶圆洁净度提供可靠保障。

2.水平电镀设备：兼容 8 寸与 12 寸晶圆，配置灵活，可搭载 3 个 Load Port、4 个清洗腔体、4 种预湿腔体（具备真空控制功能）及 20 个电镀腔体，支持 Cu、Sn/Ag、Ni 等多种材质的电镀作业。设备性能优异，片内均一性＜5%、片间均一性＜3%，在高速镀铜过程中兼具均匀化控制。水平腔体设计有效避免交叉污染，单腔维护模式提升作业效率，Rubber Seal 确保良好密封性能，工序控制灵活，可精准适配半导体电镀的各类需求。

3.本化镀设备适用于半导体制造环节，兼容 8 寸、12 寸晶圆，具备出色性能。在沉积速率上，Ni＞180nm/min 、Pd＞30nm/min 、Au＞4nm/min ，工艺参数覆盖 Ni（3 - 10um）、Pd（0.1 - 1um ）、Au（0.02 - 0.15um ），膜厚均匀性良好，Ni、Pd 均＜10% ，Au＜15% ，破片率＜10PPM 。可处理翘曲片≤5mm 、厚度 200 - 1500um 的晶圆，系统性能可靠，UP time≥95% 、MTTR≤4hours 、MTBF≥250hours ，8 寸 + 12 寸月产量达 7000 片，为化镀工艺高效稳定开展提供有力支撑。