新闻1：长江存储计划扩大产能，目标2026年末占据全球15%的NAND闪存产量

今年初有报道称，长江存储（YMTC）已经开始出货第五代3D TLC NAND闪存，共有294层，以及232个有源层。传闻三星从今年下半年开始量产的第10代V-NAND闪存开始，采用长江存储的专利混合键合技术。

据DigiTimes报道，自2022年末以来，长江存储一直在美国商务部的实体清单上，一定程度上影响了其技术的研发和产能的扩张。尽管受到制裁和限制，但是长江存储依然在技术上实现了突破，接下来就是要扩大产能，目标是到2026年末，占据全球15%的NAND闪存产量。另外长江存储还计划建设一条试生产线，专门使用国产晶圆制造工具。

与其他全球NAND闪存供应商不同，由于需求疲软和价格压力，都在削减产量和投资，而长江存储走在相反的道路上。根据统计，2024年末长江存储的产能为每月13万片晶圆，约占全球NAND闪存产量的8%。虽然长江存储在设备采购上有诸多限制，但是今年仍计划将产能提高到每月15万片晶圆。至于到2026年末是否能实现市场份额接近翻倍的目标，还有待观察。

除了拥有3600MT/s接口速率的1TB 3D TLC X4-9070旗舰产品外，长江存储还计划今年晚些时候发布定位相对低一些的3D QLC X4-6080，暂时还不清楚层数，有可能仍然是294层。明年长江存储准备带来2TB 3D TLC X5-9080，以及4800MT/s接口速率的3D QLC X5-6080。长江存储下一代技术节点可能超过300层，可能需要将三个3D NAND粘合在一起。

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新闻2：长鑫存储推进DDR5工艺升级，大规模量产预计延后至2025年末

长鑫存储（CXMT）主攻DRAM芯片，是国内最大且唯一一家能够制造DDR4/LPDDR4内存芯片的厂商，今年初终于切换到DDR5/LPDDR5内存芯片，赶上了时代发展的步伐。近期长鑫存储开始减少DDR4的出货量，逐步将重心转移到DDR5，打算升级工艺并增加产量。

据Digitimes报道，长鑫存储的计划似乎遇到了一些麻烦，由于使用相对较旧的工艺技术来生产DDR5，无论生产出来的颗粒质量，还是良品率，仍然没有达到令人满意的水平，有可能不得不推迟大规模生产的时间，延后至2025年末。

长鑫存储应该是采用了其第四代DRAM节点工艺技术来制造DDR5，从而使得面积比三星同类芯片大了40%，与三星2021年初的水平相当，这意味着制造成本要更高，难以降低成本，难以实现大规模生产。然而成本不是长鑫存储面临的唯一问题，早期测试发现这些DDR5内存模块在相对高温或者低温环境里出现稳定性问题，导致长鑫存储不得不改变其DDR5芯片的设计，以提升可靠性。

原来有业内人士预计，长鑫存储在2025年5月或者6月开始大批量生产DDR5，可是已经到7月了，仍然没有实现大规模出货。虽然技术上的一些问题已经解决，但是良品率方面仍徘徊在50%左右，要实现真正意义上的量产是不足够的。长鑫存储还需要更多经验，以继续改进生产。

事实上，长鑫存储的DDR5已经达到了同行业南亚科技的水平，正在缩小与领先DRAM厂商的差距。预计到2025年末，长鑫存储的DDR5才能进入大规模生产阶段。

新闻3：江波龙 RDIMM 内存条率先完成 AMD 锐龙 TR PRO 9000WX 处理器兼容性认证

AMD 昨日正式发售了锐龙 Threadripper PRO 9000 WX 系列处理器，国内存储模组大厂江波龙今日宣布其 BG 系列企业级 DDR5 RDIMM 内存条率先通过该平台的严苛兼容性测试，并被指定为官方工作站内存配置。

AMD "Zen 4" 微架构的锐龙 Threadripper 7000 处理器均仅原生支持 5200MT/s 的 DDR5 内存，而在 "Zen 5" 的锐龙 Threadripper 9000 产线中内存原生支持提高到了 6400MT/s，内存带宽增幅超 23%，为更强大的实际表现提供了 I/O 支持。

江波龙的获认证 RDIMM 内存条采用 2R×4 / 2R×8 架构设计，容量覆盖 32~128GB 范围内的多个容量点，速率可达 6400Mbps（兼容 5600Mbps），拥有 On-Die + Side-Band 双重 ECC 纠错机制。

原文链接：https://m.ithome.com/html/870502.htm