SiC作为第三代半导体材料的代表，具有高禁带宽度、高硬度和耐磨性、高热导率等优异特性，是制造高压、高温、高频功率器件的理想材料。但大尺寸SiC晶体的制备一直是全球技术难题，此前行业主流量产尺寸仍为6-8英寸衬底。

近期，我国2家企业在12英寸SiC技术领域取得了显著进展：

• 晶越半导体：研制出高品质12英寸SiC晶锭；

• 天成半导体：成功研制出12英寸N型碳化硅单晶材料。

晶越半导体继2025年上半年成功量产8英寸碳化硅衬底后，公司持续投入并不断加大研发力度，并在热场设计、籽晶粘接、厚度提升以及缺陷控制方面不断调整和优化工艺，在7月21日研制出高品质12英寸SiC晶锭，标志晶越成功进入12英寸SiC衬底梯队。

天成半导体：

成功研制出12英寸N型碳化硅单晶材料

2025年第二季度，山西天成半导体材料有限公司成功研制出12英寸（300mm）N型碳化硅单晶材料。

天成半导体一直坚持聚焦碳化硅材料研发及生产，先后攻克了大尺寸扩径工艺和低缺陷N型单晶材料的生长工艺。12英寸N型碳化硅单晶材料的成功研发，是天成半导体发展史上的一个重要里程碑，更是公司迈向新征程的起点。

接下来，天成半导体将全力以赴推进大尺寸碳化硅单晶材料的产业化技术，深化研发投入，保持技术领先地位。