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自2022年底被美国商务部列入实体清单后，中国NAND Flash制造商长江存储已经无法取得美系先进晶圆制造设备、但该公司未因此停下脚步，据国外科技媒体Tom′s Hardware引用市场消息指出，长江存储不仅预计2024年底将月产能提升至13万片，更计划至2026年底挑战全球NAND Flash产量的15%。 此外，长江存储正推动一条全国产设备试验生产线，成规避美国制裁的方式之一。

长江存储在2024年底前将实现月产能约13万片，预计在2025年增产至15万片，对应全球NAND Flash供应约8%。 这一成长主要得益于其第五代3D TLC NAND（X4-9070）正式投产，该产品采用294层堆叠架构，位密度显著提升，接口速度达3600 MT/s。 而即便长江存储从ASML、Applied Materials、KLA等国际设备供应商取得新设备的能力受限，但其仍计划大规模导入自研技术与国产设备，支撑其位成长率目标远高于整体市场的10%~15%。

为摆脱依赖外国设备，长江存储已着手建设一条仅完全依赖国产工具的的试验线，预计于2025年下半年开始试产。 这是因应美国管制128层堆叠以上堆叠技术设备出口后的对策，亦是中国芯片设备自主化的重要试金石。 根据市场分析师的分析指出，一旦该试验线获得成功，将有助于长江存储扩大规模量产的可能性，并朝向100%设备国产化迈进。 市场评估，若长江存储能将月产量提升至 20 万片，将具备影响全球 NAND Flash 价格走势的话语权。

产品路线方面，长江存储除1TB X4-9070外，2025年稍晚将推出3DQLC X4-6080，可能延续294层堆叠，至2026年量产2TB 3D TLC X5-9080与3DQLC X5-6080，后者将支持4,800MT/s高速接口。 下代架构预期将超过300层堆栈，藉此提升每片晶圆的位输出，即使制程时间增加、月投片数下降，也能维持总产出成长。

2022年美国规定，禁止美系企业向中国输出可制造128层堆叠以上3D NAND Flash的设备，但长江存储利用串堆叠技术成功绕过。 至今尚无证据显示该公司自禁令后取得新美制设备，但仍靠既有工具维持先进NAND Flash产品线的开发与制造。

展望未来，长江存储期望在2026年前达成全球NAND Flash市场份额15%愿景，并中国内需市场超过30%市占。 但试验线仍处初期阶段，能否顺利放量、规模量产尚未明朗，特别在良率、制造成本与技术可靠性三方面仍有挑战。 尽管如此，长江存储快速扩产、设备国产化领先与资本投入策略，已成为中国半导体自主化最具代表性的企业之一。

报告显示，长江存储最新的“Xtacking 4.0”芯片在性能上与市场领导者相当，不过由于在极紫外光刻（EUV）等关键领域中国仍存在差距，这使得持续增长将取决于缩小设备和产量差距的能力。

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