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7月18日,芯联集成发布公告,拟通过发行股份及支付现金的方式,斥资58.97亿元收购15名交易方所持有的芯联越州72.33%股权。

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交易完成后,芯联集成将实现对芯联越州的全资控股,整合资源以强化自身在功率半导体、SiC及高压模拟IC等高端领域的核心竞争力。


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芯联越州聚焦高端半导体制造,产能与技术优势突出。产能上,具备每月7万片8英寸硅基功率器件(IGBT、MOSFET)和每月8000片6英寸SiC MOSFET的生产能力,是国内车规级SiC器件产业化先行者,还拥有国内首条8英寸产线。

技术层面,6英寸SiC MOSFET出货量全国居首,产品良率超99%,技术参数达国际先进水平,2023年及2024年上半年车载主驱SiC MOSFET出货量国内领先,填补了国内中高压模拟IC技术空白,8英寸SiC工艺预计2025年量产,有望成国内首家规模量产企业。

在化合物半导体领域,其SiC MOSFET覆盖650V - 2000V全系列,部分产品关键指标国际领先,掌握核心工艺,客户涵盖头部车企及光伏、风电龙头;硅基领域,IGBT和MOSFET均实现全电压范围布局,车规级产品已批量量产。

本次交易整合双方8英寸硅基产能,强化对SiC产能控制,有助于把握市场需求,加速国产替代,巩固行业地位,且交易作价合理,有保护安排,利于提升公司全球竞争力。

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芯联集成2018年成立,2023年登陆科创板,以“支撑全球智慧型新能源革命”为愿景,面向汽车、工控、消费、AI四大市场,专注MEMS、IGBT、SiC MOSFET、模拟IC、MCU的研发生产,是国内稀缺的一站式芯片系统代工方案供应商。

公司拥有先进车规级功率器件及功率IC研发量产平台,是重要的车规和高端工控芯片制造基地,聚焦模拟IC领域,开发国内独有高压BCD平台且多平台量产。

经7年发展,构筑起IGBT、碳化硅、模拟IC三大增长曲线,跻身2024年全球专属晶圆代工前十、中国大陆第四。

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此次交易整合产能、强化对 SiC 产能控制,利于把握需求、加速国产替代。芯联集成2018年成立,2023年科创板上市,以“支撑全球智慧型新能源革命”为愿景,面向四大市场,专注多种产品研发生产,经7年发展构筑三大增长曲线,跻身全球专属晶圆代工前列。

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