关注我们 设为星标

EETOP

百万芯片工程师专业技术论坛

官方微信号

Exynos 2600 目前处于原型生产阶段，三星正借助其 2 纳米全环绕栅极（GAA）工艺，为这款即将登场的旗舰级系统级芯片（SoC）实现性能与能效的新跃升。不过，考虑到过往产品即便在智能手机中配备均热板散热，仍难逃持续过热的困扰，有报道称，这家韩国厂商将引入一项名为 “热传递阻断”（Heat Pass Block，简称 HPB）的技术来优化散热，确保 Exynos 2600 能稳定发挥最佳性能。

本质上，HPB 将充当 Exynos 2600 的散热器，通过改善散热表现，让这款 SoC 能在更长时间内维持最高主频运行。

三星 Exynos 系列现有芯片采用的是 DRAM 直接叠置于 SoC 之上的结构。不过据ETNews消息，在 Exynos 2600 上，HPB 与 DRAM 将共同直接搭载于芯片之上，其中新增的 HPB 将扮演散热器角色，加速热量传导。此外，三星据称还将在 HPB 模块上方采用扇出型晶圆级封装（FOWLP）技术，以提升耐热性并增强多核性能。

这项封装技术首次应用于 Exynos 2400，三星希望将其沿用至 Exynos 2600，确保该芯片能与即将推出的骁龙 8 Elite Gen 2 和天玑 9500 保持一定竞争力。近期 Geekbench 6 的跑分数据泄露显示，Exynos 2600 的最高主频核心运行在 3.55GHz，这一频率低于天玑 9400 + 搭载的 Cortex-X925 核心。

HPB 与 FOWLP 技术的加入，理论上可助力 Exynos 2600 实现更高频率，从而在维持温度稳定的同时，提升单核与多核性能。众所周知，温度过高会引发性能降频，这不仅会让设备握持时体感不适，还可能加重电池负担，甚至存在爆炸风险，沦为一颗 “定时炸弹”。

若三星的 2 纳米全环绕栅极工艺能达到理想良率，Exynos 2600 有望于今年年底发布，恰好能赶在该公司 2026 年初发布 Galaxy S26 系列之前。

欢迎加入 EETOP 微信群

ADC 射频 Wifi 等芯片测试线下技术研讨会

（8月5日 苏州）