SK海力士刚刚交出了一份让市场瞠目结舌的二季度成绩单。

近日，韩国芯片巨头SK海力士公布了第二季度财报。财报显示，该公司当季营收和营业利润均创下记录，这得益于用于生成式人工智能芯片组的高带宽存储技术需求强劲，以及一些客户在美国可能征收关税之前囤积半导体。

具体而言，SK海力士二季度营业利润为9.21万亿韩元，同比增长68.5%，超出分析师预期的8.93万亿韩元；营收为22.23万亿韩元，同比增长35.4%，超出分析师预期的20.56万亿韩。此外，按季度计算，第二季度营收环比增长26%，营业利润增长24%。

SK海力士在一份声明中指出，本季度营收和营业利润均超越了去年第四季度最高业绩，创下了季度业绩历史新高。

“随着全球大型科技公司积极投资人工智能（AI）领域，面向AI的存储器需求持续增长，公司的DRAM和NAND闪存出货量均超出预期，由此创下了历史最高业绩。”该公司写道。

得益于此次业绩成果，截至第二季度末，该公司现金及现金等价物达到17万亿韩元，相较于前一季度增加了2.7万亿韩元。债务和净债务比率分别为25%和6%，净债务环比大幅减少了4.1万亿韩元。

SK海力士表示，今年上半年需求强劲，价格条件有利。而由于稳定的客户库存水平和新产品发布的预期需求，2025年剩余时间内需求大幅调整的可能性很低。该公司还预计，全年高带宽内存（HBM）芯片销量将比2024年翻一番。

“SK海力士预计，大型科技公司之间为增强人工智能模型推理能力而展开的竞争将加剧，这将导致对高性能、大容量内存产品的需求增加。”声明称。

此前Counterpoint 高级研究员 Choi Jeong-ku 曾表示：“SK 海力士在 2023 年第一季度遭遇了史上最大季度亏损和减产的痛苦，但随着 2024 年第一季度实现了 HBM3E 的全球首次量产，开启了强劲的上升势头。SK 海力士在 2025 年第一季度首次创下了 DRAM 市场销售额全球第一的纪录，并在 2025 年第二季度与三星争夺整体存储市场第一的位置。”

而对于三星电子而言，其营收的未来增长受到向英伟达供应 HBM3E 仍存在不确定性的影响，预计全年度 HBM 内存销量增长与去年相比将较为有限。

据悉，为应对HBM需求激增，SK海力士正筹备在清州M15工厂增设HBM专用后工序产线，这是该工厂第二次增设HBM后工序产线。此前，SK海力士已在M15建立HBM硅通孔（TSV）加工产线。

此次扩产将最大限度保留该厂的NAND闪存产能，将通过产线重组、压缩设备间距等方式优化空间利用率。此次扩建预计与清州M15X工厂的年底竣工计划同步推进。据悉，SK海力士已向部分半导体设备企业下达后工序设备采购订单。

选择改造M15工厂NAND产线的原因在于SK海力士当前可用晶圆厂空间几近饱和。除预计今年竣工的M15X和M8工厂外，SK海力士需待2028年后才能启用新建工厂（龙仁工厂、美国印第安纳工厂），因此短期内只能通过重组现有设施提升HBM产能。

NAND市场低迷也是改造M15的动因之一。由于需通过关停并迁移部分产线来腾挪空间，相比高利润的DRAM产线，调整NAND产线更为可行。半导体材料业界人士表示："M15的NAND产线开工率持续低迷，SK海力士此次布局显然与NAND市场疲软相关。"

SK海力士计划通过此次产能调整，为M15X工厂的DRAM量产提供支持。该工厂拟投产10纳米第五代DRAM（1b DRAM），其芯片可应用于HBM4等产品，但受限于空间约束，预计仅能满足部分产能需求。

此外，SK海力士正在重整清州M8工厂以扩充HBM后端工序产能。该工厂此前因SK海力士系统IC设备迁至中国无锡而闲置，虽因设施老化难以用于前端工序，但面对产能瓶颈，SK海力士决定将其改造为HBM后端工序专用产线。

对于M15是否追加HBM后端工序产线投资的问题，SK海力士回应称"尚未最终确定"。

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