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7月25日消息，据报道，清华大学化学系许华平教授团队在极紫外（EUV）光刻材料上取得重要进展，开发出一种基于聚碲氧烷的新型光刻胶，为先进半导体制造中的关键材料提供了新的设计策略。

这一光刻胶由单组分小分子聚合而成，在简洁设计下整合理想特性，为下一代EUV光刻胶的开发提供了可行路径。

光刻胶市场在半导体升级、国产替代及新兴技术驱动下，将保持高速增长。中国有望通过技术突破与政策支持，从“进口依赖”转向“全球主导”。中国“十四五”规划将光刻胶列为关键材料，税收优惠及研发补贴超200亿元，推动国内相关企业实现ArF光刻胶量产。

许华平教授课题组基于团队早期发明的聚碲氧烷开发出一种全新的EUV光刻胶，满足了上述理想光刻胶的条件。在该项研究中，团队将高EUV吸收元素碲（Te）通过Te─O键直接引入高分子骨架中。碲具有除惰性气体元素氙（Xe）、氡（Rn）和放射性元素砹（At）之外最高的EUV吸收截面，EUV吸收能力远高于传统光刻胶中的短周期元素和Zn、Zr、Hf和Sn等金属元素，显著提升了光刻胶的EUV吸收效率。

聚碲氧烷：理想的EUV光刻胶材料

同时，Te─O键较低的解离能使其在吸收EUV后可直接发生主链断裂，诱导溶解度变化，从而实现高灵敏度的正性显影。这一光刻胶仅由单组份小分子聚合而成，在极简的设计下实现了理想光刻胶特性的整合，为构建下一代EUV光刻胶提供了清晰而可行的路径。

该研究提供了一种融合高吸收元素Te、主链断裂机制与材料均一性的光刻胶设计路径，有望推动下一代EUV光刻材料的发展，助力先进半导体工艺技术革新。

相关成果以“聚碲氧烷作为EUV光刻胶的理想配方”（Polytelluoxane as the ideal formulation for EUV photoresist）为题，于7月16日发表于Science Advances期刊。

数据显示，2025年全球光刻胶市场规模约120亿美元，2030年将达280.6亿美元，中国2030年市场规模占比将提升至30%。

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