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半导体行业圈 振兴国产半导体产业！



7月23日，浙江晶越半导体有限公司宣布已成功研制出高品质12英寸SiC晶锭，这标志晶越成功进入12英寸SiC衬底梯队。
资讯配图图片来源：浙江晶越半导体有限公司
2025年上半年，晶越半导体已经成功量产8英寸碳化硅衬底，后续持续投入并不断加大研发力度，并在热场设计、籽晶粘接、厚度提升以及缺陷控制方面不断调整和优化工艺，成功攻克12英寸衬底。
公开资料显示，晶越半导体成立于2020年，总部位于浙江省嵊州市，聚焦8-12英寸导电型碳化硅衬底及其外延材料的研发、生产与销售，产品广泛应用于新能源车辆、充电桩、高速铁路、通信基站等领域。2021年，晶越半导体完成A轮融资，随后2022年又完成了一轮融资。
在未来，晶越将持续投入研发、专注于打磨产品、提高良率和参数优化，努力打造国内领先碳化硅材料提供商。
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同日，山西天成半导体材料有限公司也宣布成功研制出12英寸（300mm）N型碳化硅单晶材料。
资讯配图图片来源：天成半导体
据了解，天成半导体一直坚持聚焦碳化硅材料研发及生产，先后攻克了大尺寸扩径工艺和低缺陷N型单晶材料的生长工艺，此次12英寸N型碳化硅单晶材料的成功研发，是天成半导体发展史上的一个重要里程碑，更是我们迈向新征程的起点。
接下来，天成半导体将全力以赴推进大尺寸碳化硅单晶材料的产业化技术，深化研发投入，保持技术领先地位。
天成半导体成立于2021年，是一家专注于第三代半导体碳化硅（SiC）衬底材料研发、生产及晶体生长装备制造的高新技术企业。2022年实现了6英寸导电型和半绝缘型碳化硅晶锭的小批量生产，2024年公司实现了8英寸SiC单晶技术研发突破，2025年月，其自主研发12英寸碳化硅长晶炉已进入炉体组装和工艺调试阶段，计划于2025年第三季度投放市场。

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