汇集全球半导体产业最新资讯 技术前沿、发展趋势！

近日，国际半导体领域知名专家叶国光博士在接受台湾媒体专访时，分享了其在中国大陆工作20余年的深刻见闻，见证了中国半导体行业从无到有、由弱变强的辉煌历程。

如今，中国大陆在芯片制造设备领域成果斐然，门类齐全。从大硅片的量产制造，到芯片的设计与制造，再到最后的封装测试，中国企业已构建起全产业链发展格局。

在光刻机领域，中国企业正奋勇前行。目前，自研的干式光刻机产品已对外公布，浸入式产品也在紧锣密鼓地全力研发。而在备受关注的EUV设备方面，尽管这是中国半导体产业被“卡脖子”最为严重的环节，但众多科研部门正分工协作、奋力攻关。叶博士乐观预估，至少5年之后，中国在EUV设备技术上有望实现重大突破。

先进芯片制造（如7nm、5nm甚至3nm）高度依赖EUV光刻技术。相较于传统DUV（深紫外）光刻，EUV采用13.5纳米波长的极紫外光源，能够在硅片上实现更高精度、更小特征尺寸的图案转移，是芯片制造迈向先进制程的关键。

构建完整EUV光刻机困难重重，需攻克高功率EUV光源稳定输出、多层反射镜系统、高真空环境稳定控制、亚纳米级对位精度与误差控制、全系统软硬件协同运算等技术难题。

当下，中国芯片制造主要依赖DUV光刻机。上海微电子虽能自研90nm光刻机且向28nm推进，但与EUV支持的7nm、5nm制程差距明显。

EUV光刻设备市场被荷兰ASML垄断，是7nm及以下先进制程芯片生产核心装备。中国企业另寻出路，采用DUV+多重曝光方案实现7nm芯片量产。同时，在后端制造设备领域，北方华创等本土企业于沉积设备等多个环节实现自主技术突破，打通全流程。

此外，中国在EUV光刻机相关技术上已有局部突破，如上海微电子研发原型机，多家企业和科研机构分别在光源、反射镜片、环境系统等方面取得进展。

叶国光博士还指出，中国企业在刻蚀机、气相沉积设备等领域的发展已逐步追平美国企业。从整体产品水平来看，中国大陆企业的设备与美国企业的差距仅约两年，这一成绩是在遭受美国封锁制裁的艰难背景下取得的，更显难能可贵。

值得一提的是，中国大陆有三家机构正分别聚焦EUV光刻机的不同零部件展开攻关。目前，光源技术已接近攻克，下一步将进行系统的技术测试。不过，整个EUV的曝光系统仍需一定时间来完善。

中国半导体产业在EUV光刻机领域的攻坚之路充满挑战，但中国企业凭借坚定的决心、不懈的努力和持续的创新，正逐步缩小与国际先进水平的差距。相信在不久的将来，中国必将在EUV光刻机技术上取得重大突破，实现半导体产业的全面自主可控，在全球半导体舞台上绽放更加耀眼的光芒。

*声明：本文系原作者创作。文章内容系其个人观点，我方转载仅为分享与讨论，不代表我方赞成或认同，如有异议，侵权欢迎联系我们删除！