下一代 PC 内存已在筹备中。DDR6 预计将于 2027 年问世，各大芯片制造商正在为更快、更高效的系统奠定基础，这将再次提升从游戏设备到 AI 工作负载等各个领域的标准。

DDR6 标准于 2024 年底起草，预计将于 2027 年实现商用。据台湾行业刊物《商业时报》报道，三星、美光和 SK 海力士的原型设计工作进展顺利，目前正将重点转向控制器开发。据报道，这些公司还在与英特尔和 AMD 合作进行接口测试，预计平台验证将于明年开始。

两家主要的 x86 芯片制造商都计划在其下一代 CPU 中支持 DDR6，为其在 AI 服务器、高性能计算 (HPC) 系统和高端笔记本电脑中的广泛应用铺平道路。据业内人士称，DDR6 将比 DDR5 进行重大的架构升级，默认速度从 8,800 MT/s 开始，最高可达 17,600 MT/s，是当前 DDR5 官方极限的两倍。一些报告表明，超频模块最终可能达到 21,000 MT/s 的速度。

DDR6 的另一个关键升级是其多通道架构，具有四个 24 位子通道。与 DDR5 的双 32 位布局相比，这种设计提高了并行处理、数据流和带宽效率。然而，这也对模块 I/O 设计和信号完整性提出了更高的要求。

内存制造商将 CAMM2 定位为 DDR6 的关键规格，尤其是在笔记本电脑和其他紧凑型设备中。与传统的 DIMM 和 SO-DIMM 相比，新的模块设计有望带来更佳的性能、更高的容量和更高的效率。华硕和芝奇最近展示了一款以 DDR5-10000 速度运行的 64GB CAMM2 模块，凸显了该格式的潜力。

继 DDR6 草案发布后，联合电子设备工程委员会 (JEC) 于本月初发布了 LPDDR6 最终草案，使半导体公司、内存制造商和芯片设计人员能够在统一框架下开始测试和验证。据韩国媒体 The Guru 报道，高通、联发科和新思科技已开始为其硬件开发LPDDR6 支持，而多年来一直致力于该标准的三星和 SK 海力士计划在年底前开始量产 LPDDR6 模块。

DDR5 内存标准于 2020 年 7 月由 AMD Ryzen 7000（“Raphael”）和 Intel Core 13000（“Alder Lake”）正式确定，在过去两年中才真正开始在桌面上慢慢取代其 DDR4 前身，但即将推出的 DDR6 内存已经敲响了大门。

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三星在 2021 年科技日上谈到了 DDR6 及其演进阶段 DDR6+，并透露了有关即将推出的内存标准的许多有趣的细节。

如果以 JEDEC 官方批准的速度为基准，DDR5 的推出使其最高数据速率较 DDR4 翻了一番，从 3,400 MT/s 提升至 6,400 MT/s。三星预测 DDR6 也将实现类似的提升，其最高运行速度将达到 12,800 MT/s，即 DDR6-12800。

需要注意的是，这些只是 JEDEC 指定的官方标准速度，超频 (OC) 模块可能会远远超过这些速度。

因此，带有严格选择的内存模块（“IC”）的内存条应该能够以 OC 模块的形式实现高达 16,800 MT/s 的 DDR6-16800。

就纯内存速度而言，DDR 内存标准的开发将如下所示：

由于从 DDR5 到 DDR6 的变化带来了内存速度的显著提高，因此内存带宽也显著增加。

DDR6 的每个模块内存通道数量将增加到四个，与 DDR5 相比再次翻倍。内存组的数量也增加了两倍，达到 64 个，与 DDR4 相比增加了四倍。

在跨代内存带宽比较中，DDR6 将再次大幅提升：

• DDR 高达 3.2 GB/s

• DDR2 高达 8.5 GB/s

• DDR3 高达 17.0 GB/s

• DDR4 高达 28.8 GB/s

• DDR5 高达 67.2 GB/s

• DDR6 高达 134.4 GB/s+

因此，就目前情况而言，可以假设最快的 DDR6 内存模块将能够提供至少 134.4GB/s 的内存带宽，而 OC 模块每秒可提供更高的内存吞吐量。

与从 DDR4 到 DDR5 的转换一样，新一代内存的功能集将再次显著扩展。三星、美光、南亚和 SK 海力士等所有相关的 DRAM 芯片制造商都已透露了这一点。

除了进一步改进的PMIC（电源管理IC），用于监控内存模块的能源管理，以及进一步降低的电源电压（VDIMM）之外，奇偶校验和错误纠正的ECC功能也将进一步扩展。