闪迪所放弃的这座工厂曾被视为密歇根州引领下一代美国半导体生产的潜在支柱。

美国密歇根州州长惠特默（Whitmer）在周三（7月16日）的一份声明中表示，一家原本选择在蒙迪镇（Mundy）建厂的公司取消了计划，导致价值550亿美元的半导体制造项目交易失败，该项目曾预计将为杰纳西县（Genesee）带来多达10000个就业岗位。

惠特默在接受采访时证实，总部位于加州的Sandisk（闪迪公司）已放弃在蒙迪镇先进制造区建造大型芯片制造厂的计划。该工厂被视为密歇根州引领下一代美国半导体生产的潜在支柱。

据悉，美国密歇根州州政府官员和经济开发商在幕后工作了一年多，以确保这项投资成为密歇根州历史上最大的投资之一。

美国曾经在半导体和集成电路的开发和制造方面领先世界。2800亿美元的美国《芯片与科学法案》旨在重建美国作为半导体制造超级大国的地位，并减轻对外国晶圆厂的依赖。

在巨额融资法案通过两年后，英特尔雄心勃勃的代工战略因又一次高管变动和剥离陷入困境的制造部门的呼声而陷入质疑。

英特尔在建立美国替代外国晶圆厂的努力中发挥了核心作用，但它并不是唯一一家符合这一要求的美国大型芯片制造商。

去年前首席执行官帕特·基辛格突然离职后，英特尔还在等待制定新的发展路线，而美国内存巨头美光科技则已做好准备，与规模更大的竞争对手 SK 海力士和三星电子展开竞争。

英特尔尚未证明其大众市场工艺技术的商业可行性，而美光则已展示出生产尖端内存模块的能力。尽管规模比韩国竞争对手小得多，但美光仍是全球最大的内存供应商之一。

据Tom's hardware报道，美国存储芯片大厂美光（Micron）近日详细介绍了其不久前宣布的对美国投资2000亿美元的投资计划。

在今年6月12日，美光就宣布，其计划将在美国的存储制造投资扩大到约 1500 亿美元，研发投资也将扩大到 500 亿美元，从而创造约 90,000 个直接和间接工作岗位。

其中，1500亿美元的投资包括：在爱达荷州博伊西建造第二家领先的内存工厂；扩建其位于弗吉尼亚州马纳萨斯的现有制造工厂并对其进行现代化改造；位于纽约的多达四家领先的大批量晶圆厂；并将先进的HBM封装能力引入美国，以实现对 AI 市场至关重要的高带宽内存 （HBM） 的长期增长。此外，美光宣布计划投资 500 亿美元提升美国国内存储芯片技术研发，再次巩固其作为全球内存技术领导者的长期地位。这些投资额也旨在使美光能够满足预期的市场需求，保持美国市场份额并支持美光在美国生产 40% 的 DRAM 的目标。

根据美光最新公布的信息显示，该投资计划的第一部分涉及在爱达荷州博伊西附近建造世界上最大、最先进的 DRAM 生产设施之一，现在称为 Fab ID1。一旦完全配备生产设备，ID1 的洁净室面积将达到 600,000 平方英尺（~55,700 平方米）。这大约是 GlobalFoundries 的 Fab 8 洁净室产能的两倍，与竞争对手三星和 SK 海力士在韩国运营的大型晶圆厂相当。

美光在爱达荷州的Fab ID1 将于 2025 年 6 月达到了一个关键的建设里程碑，预计将于 2027 年下半年开始生产晶圆，此后将获得客户资格认证。爱达荷州的第二座晶圆厂Fab ID2 将建在ID1附近，受益于共享基础设施和研发共址。美光预计Fab ID2 将在纽约工厂之前投入生产，尽管该公司没有详细说明确切的时间。

虽然美光在爱达荷州的Fab ID2 厂破土动工，ID1 也预计将在几年内开始运营，但该公司仍在努力推动位于纽约的多达四家领先的大批量晶圆厂的计划。美光计划在完成联邦和州环境审查后，到 2025 年底开始其纽约工厂的地基工作。美光的纽约计划比爱达荷州的计划更加雄心勃勃，因为它涉及四个晶圆厂阶段，洁净室面积约为 600,000 平方英尺（约 55,700 平方米）。虽然尚未宣布该工厂的具体生产时间表，但很明显，该工厂是美光长期战略努力的一部分，旨在建立强大的美国国内制造足迹，以支持商业和国家计算需求。

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