新思科技LPDDR6 IP在台积电成功流片图1

新思科技近期宣布，其LPDDR6 IP已在台积公司 N2P 工艺成功流片，并完成初步功能验证。这一成果不仅巩固并强化了新思科技在先进工艺节点 IP 领域的领先地位，同时也为客户提供可信赖的、经硅片验证的IP选择，可满足移动通讯、边缘 AI 及高性能计算等更高存储带宽需求的应用场景。


新思科技LPDDR6 IP在台积电成功流片图2


新思科技接口IP工程高级副总裁Dino Toffolon指出：“LPDDR6的发布，意味着高带宽、低功耗的存储接口正式迈入‘埃米级’（angstrom-scale）时代。通过与台积公司的深度合作，我们帮助客户顺利过渡至2纳米及以下工艺，让移动、边缘AI和高性能计算设备都能提前享受下一代内存带宽。”